[发明专利]接近光发射功率处理方法、终端设备及存储介质

权利要求书

1.一种接近光发射功率处理方法，其特征在于，包括：

终端设备确定满足接近光发射功率调整条件；

所述终端设备调大接近光发射功率为第一接近光发射功率；

当所述终端设备采用所述第一接近光发射功率发射接近光满足第一目标条件时，所述终端设备更新预先存储的功率相关参数为第一功率相关参数，所述第一功率相关参数为采用所述第一接近光发射功率发射接近光时所对应的功率相关参数；所述第一目标条件包括：第一无遮挡底噪值小于第一预设值，第一遮挡底噪值变化量大于第二预设值，且第二遮挡底噪值变化量大于第三预设值；其中，所述第一无遮挡底噪值为采用所述第一接近光发射功率发射接近光时所述终端设备的无遮挡底噪值，所述第二预设值小于所述第三预设值，所述第一遮挡底噪值变化量为所述第一无遮挡底噪值与当第一距离存在遮挡时所述终端设备的底噪值之间的差值，所述第二遮挡底噪值变化量为所述第一无遮挡底噪值与当第二距离存在遮挡时所述终端设备的底噪值之间的差值，所述第一距离大于所述第二距离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功率相关参数包括：接近光发射电流，和/或，接近光发射脉冲个数，所述终端设备调大接近光发射功率为第一接近光发射功率，包括：

所述终端设备调大接近光发射电流，和/或，调大接近光发射脉冲个数；其中，调大后的接近光发射电流，和/或，调大后的接近光发射脉冲个数对应的接近光发射功率为所述第一接近光发射功率。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述终端设备调大接近光发射电流，和/或，调大接近光发射脉冲个数，包括：

所述终端设备计算第二无遮挡底噪值以及所述终端设备中的初始无遮挡底噪值的第一比值；其中，所述第二无遮挡底噪值为当所述终端设备确定满足所述接近光发射功率调整条件时所述终端设备得到的无遮挡底噪值；

所述终端设备根据所述第一比值调大接近光发射电流，和/或，调大接近光发射脉冲个数。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一接近光发射功率与所述终端设备的初始接近光发射功率的比值等于所述第一比值。

5.根据权利要求2-4任一项所述的方法，其特征在于，所述终端设备更新预先存储的功率相关参数为第一功率相关参数，包括：

所述终端设备将调大后的接近光发射电流，和/或，调大后的接近光发射脉冲个数写入非易失性存储器。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述终端设备确定满足接近光发射功率调整条件，包括：

终端设备确定在连续N次无遮挡底噪值测量中，所述终端设备的无遮挡底噪值均大于或等于第四预设值。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述所述终端设备更新预先存储的功率相关参数为第一功率相关参数之后，还包括：

所述终端设备再次确定满足所述接近光发射功率调整条件；

所述终端设备基于第三无遮挡底噪值以及所述第一无遮挡底噪值关系，调大接近光发射功率为第二接近光发射功率；其中，所述第三无遮挡底噪值为当所述终端设备再次确定满足所述接近光发射功率调整条件时所述终端设备的无遮挡底噪值；

当所述终端设备采用所述第二接近光发射功率发射接近光满足第二目标条件时，所述终端设备更新预先存储的功率相关参数为第二功率相关参数，所述第二功率相关参数为采用所述第二接近光发射功率发射接近光时所对应的功率相关参数；所述第二目标条件包括：第四无遮挡底噪值小于所述第一预设值，所述第三遮挡底噪值变化量大于所述第二预设值，且第四遮挡底噪值变化量大于所述第三预设值；其中，所述第四无遮挡底噪值为采用所述第二接近光发射功率发射接近光时所述终端设备的无遮挡底噪值，所述第三遮挡底噪值变化量为所述第四无遮挡底噪值与当所述第一距离存在遮挡时所述终端设备的底噪值之间的差值，所述第四遮挡底噪值变化量为所述第四无遮挡底噪值与当所述第二距离存在遮挡时所述终端设备的底噪值之间的差值。