[发明专利]一种单晶硅位错密度的无损检测方法

权利要求书

1.一种单晶硅位错密度的无损检测方法，其特征在于，该无损检测方法按以下步骤进行：

1）设置仪器测试参数，对单晶硅片进行XRD测试；获得该单晶硅片的XRD衍射谱，经过拟合，由该衍射谱获得衍射峰的半高宽数据B；

2）以和步骤1）相同的仪器测试参数对无位错标准硅样品进行XRD测试，获得标准硅样品的XRD衍射谱，经过拟合，由标准硅样品的XRD衍射谱获得仪器宽化δ；

3）根据关系式计算获得步骤1）中单晶硅位错导致的物理宽化β；

4）根据Dunn公式ρ=β²/(4.35b²)计算所测单晶硅的位错密度ρ。

2.如权利要求1所述的单晶硅位错密度的无损检测方法，其特征在于，所述步骤1）和步骤2）中，XRD测试时：把厚度3mm、直径20mm的单晶硅片放在X射线衍射仪的样品台上；设定衍射仪的工作参数：扫描方式为连续扫描，扫描角度范围20～100°，数据点间隔0.02°，扫描速度3°/min，工作电压40kV，工作电流100mA。

3.如权利要求2所述的单晶硅位错密度的无损检测方法，其特征在于，进行XRD测试时，阳极靶材为铜靶λ=0.15405 nm。