[发明专利]一种适用于智能传感器封装外壳关键结构参数提取方法

权利要求书

1.一种适用于智能传感器封装外壳关键结构参数提取方法，其特征在于，该方法实现的步骤如下：

步骤一：确定外壳在承重受力过程中，保证外壳吸附在固定面上不脱落以及外壳不被破坏的条件和影响因子；

步骤二：确定外壳外部受力及保证外壳吸附在固定面不脱落的函数关系式；

步骤三：确定外壳内部受力及外壳内部薄弱环节不被破坏的函数关系式；

步骤四：根据满足的函数关系式，确定满足要求的智能传感器封装外壳的关键结构参数。

2.如权利要求1所述的适用于智能传感器封装外壳关键结构参数提取方法，其特征在于，所述步骤一中保证外壳吸附在固定面上不脱落以及外壳不被破坏的条件是：外壳受到由磁铁片吸附力产生的摩擦力大于总质量，外壳薄弱环节受到的应力小于材料许用应力；所述影响因子包括：重物的总质量M+m、螺母孔截面面积A和磁铁体积V₁。

3.如权利要求2所述的适用于智能传感器封装外壳关键结构参数提取方法，其特征在于，所述步骤二中外壳外部受力及保证外壳吸附在固定面不脱落的函数关系式的确定过程如下：

磁铁片吸附力计算公式：

F₁＝600ρ₁V₁

其中：F₁为磁铁吸附力，ρ₁为磁铁的密度，磁铁体积V₁，V₁＝a×b×c，a、b、c分别代表磁铁片的长、宽、高；

满足外壳吸附在墙面上不脱落的条件为：

(M+m)g≤μF₁

其中，M为外壳质量，m为内部组件质量，g为重力加速度，μ为外壳与吸附面之间的摩擦系数。

4.如权利要求3所述的适用于智能传感器封装外壳关键结构参数提取方法，其特征在于，所述步骤三中外壳内部受力及外壳内部薄弱环节不被破坏的函数关系式确定过程如下：

满足外壳内部薄弱环节不被破坏的条件为：

σ_i＝F_i/(2A)

其中，σ_i为外壳承受的应力，为外壳材料许用应力，取2～5；F_i为螺母孔截面上受到的力，A螺母孔截面截面面积，R_i为截面圆弧半径，L_i为截面长度，d_i为中心孔直径。

5.如权利要求3或4所述的适用于智能传感器封装外壳关键结构参数提取方法，其特征在于，所述步骤四中确定满足要求的智能传感器封装外壳的关键结构参数过程如下；

选取合适的总质量M+m，确定Abaqus模拟需要的磁铁密度ρ₁，通过Abaqus模拟得出不同吸附面情况下汝铁硼磁铁片的长、宽、高；将智能传感器封装外壳内部螺母孔截面上受到的力F_i、外壳材料强度极限σ_b，安全系数k带入外壳内部薄弱环节不被破坏的函数关系式中，得到满足条件的R_i、L_i、d_i。