[发明专利]薄膜沉积的方法在审

专利信息
申请号: 202210988828.7 申请日: 2022-08-17
公开(公告)号: CN115418629A 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 钱心嘉;孙琼;胡未能 申请(专利权)人: 杭州富芯半导体有限公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 丁俊萍
地址: 310000 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 沉积 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜沉积的方法,其特征在于,包括下列步骤:

设备提供步骤:提供具N个工位的反应腔(C),所述N个工位的每一个设置一个衬底,所述N个衬底能够在所述N个工位循环移动,其中在所述N个工位中选择其中相邻两个工位为第一工位(1)和第二工位(2),所述第一工位(1)和第二工位(2)用于沉积第一薄膜,且所述其他多个工位分别为第三工位(3)至第N工位分别用于沉积第二薄膜至第N-1薄膜;

第一薄膜沉积步骤(S4,S9):将在所述第一工位(1)和在所述第二工位(2)的两个所述衬底(S)同步沉积所述第一薄膜;以及

其他薄膜沉积步骤:分别在所述第三工位(3)至所述第N工位使已沉积所述第一薄膜至第N-2薄膜的衬底沉积第二薄膜至第N-1薄膜。

2.如权利要求1所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,N=4,其他薄膜沉积步骤还包括:

第二薄膜沉积步骤(S9,S14):在所述第三工位(3)将已沉积所述第一薄膜的所述衬底(S’)沉积所述第二薄膜;以及

第三薄膜沉积步骤(S9,S14):在所述第四工位(4)将已沉积所述第二薄膜的所述衬底(S”)沉积所述第三薄膜。

3.如权利要求2所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,还包括衬底装卸载步骤(S6):将两个所述衬底(S,S’”)从所述第一工位(1)和所述第四工位(4)移出或移入所述反应腔(C)。

4.如权利要求3所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,在所述衬底装卸载步骤(S6)以后还包括第一次移动步骤(S8):使四个所述衬底(S)沿相同方向往相邻的所述工位移动。

5.如权利要求4所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,在所述第一次移动步骤(S8)以后还包括第二次移动步骤(S10):使四个所述衬底(S)沿相同方向往相邻的所述工位移动。

6.如权利要求5所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,在所述第一次移动步骤(S8)和所述第二次移动步骤(S10)间,同步实施所述第一薄膜沉积步骤、所述第二薄膜沉积步骤和所述第三薄膜沉积步骤。

7.如权利要求6所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,在所述第二次移动步骤(S10)以后,同步实施所述第二薄膜沉积步骤和所述第三薄膜沉积步骤。

8.如权利要求3所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,在所述衬底装卸载步骤以前还包括初始装载步骤(S2):在所述反应腔(C)的四个所述工位未放置衬底的状态下,将两个所述衬底(S)移入所述反应腔(C)的所述第一工位(1)和所述第四工位(4)。

9.如权利要求8所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,在所述初始卸载步骤(S2)以后还包括:初始阶段第一次移动步骤(S3):使两个所述衬底(S)沿相同方向移动至所述第二工位(2)和所述第一工位(1)。

10.如权利要求9所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,在所述初始阶段第一次移动步骤后实施所述第一薄膜沉积步骤。

11.如权利要求10所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,在所述初始阶段第一次移动步骤(S3)后和实施所述第一薄膜沉积步骤后还包括初始阶段第二次移动步骤(S5):使两个所述衬底(S’)沿相同方向移动至所述第三工位(3)和所述第二工位(2)。

12.如权利要求11所述的薄膜沉积的方法,其特征在于,在所述初始阶段第二次移动步骤和所述衬底装卸载步骤间实施所述第二薄膜沉积步骤。

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