[发明专利]图像传感器、图像传感器结构及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

硅衬底；

锗区域，布置在所述硅衬底中；

掺杂半导体隔离层，布置在所述硅衬底和所述锗区域之间；

重p掺杂区域，布置在所述锗区域上；

重n掺杂区域，布置在所述硅衬底上；

第一n型阱，布置在所述锗区域正下方；

第二n型阱，布置在所述重n掺杂区域正下方；以及

深n型阱，布置在所述第一n型阱和所述第二n型阱下方并且与所述第一n型阱和所述第二n型阱接触。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述掺杂半导体隔离层包含硅和p型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括布置在所述锗区域上的半导体盖层。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述半导体盖层的顶表面和所述硅衬底的顶表面基本上共面。

5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述重p掺杂区域延伸穿过所述半导体盖层。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述锗区域包括：

第一p型阱，布置在所述第一n型阱上；以及

第二p型阱，围绕所述第一p型阱。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，

其中，所述第一p型阱和所述第二p型阱包含p型掺杂剂，

其中，所述第一p型阱中的所述p型掺杂剂的浓度小于所述第二p型阱中的所述p型掺杂剂的浓度。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述重n掺杂区域与所述锗区域通过所述硅衬底的部分间隔开。

9.一种图像传感器结构，包括：

硅衬底；

锗区域，布置在所述硅衬底中；

重p掺杂区域，布置在所述锗区域上；

n型阱，布置在所述锗区域正下方；

金属接触部件，延伸进所述硅衬底；以及

深n型阱，布置在所述n型阱和所述金属接触部件下方并且与所述n型阱和所述金属接触部件均接触。

10.一种形成图像传感器的方法，包括：

在硅衬底中形成深n型阱；

穿过所述硅衬底形成第一n型阱以到达所述深n型阱；

在所述第一n型阱上形成重n掺杂区域；

在所述硅衬底中形成空腔，使得所述空腔的至少部分布置在所述深n型阱正上方，并且使得所述空腔与所述第一n型阱间隔开；

在所述空腔的底表面和所述深n型阱之间形成第二n型阱；

在所述空腔的表面上形成p型隔离层；

在所述p型隔离层的所述形成之后，在所述空腔中沉积锗层；

在所述锗层的顶表面上方形成硅盖；以及

形成穿过所述硅盖至终止于所述锗层中的重p掺杂区域。