[发明专利]一种单晶铜键合线的制备方法

权利要求书

1.一种单晶铜键合线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将多晶铜棒通过挤压处理制得多晶铜细棒；

将多晶铜细棒经过多道次拉拔，制得多晶铜细线；

将多晶铜细线进行退火处理，制得单晶铜键合线。

2.根据权利要求1所述的一种单晶铜键合线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将无氧铜坯料酸洗之后进行热处理，得到等轴晶粒的多晶铜；

(2)将上一步骤所制备的待轴晶粒多晶铜挤压成型，制得多晶铜棒；

(3)将上一步骤所制备的多晶铜棒挤压成型，制得多晶铜细棒；

(4)将上一步骤所制备的多晶铜细棒通过拉丝机，拉丝制成多晶铜线；

(5)将上一步骤所制备的多晶铜线预热，并通过拉丝机，拉丝制成多晶铜细线；

(6)将上一步骤所制备的多晶铜细线进行酸洗、退火处理；退火处理之后再进行冷水淬火、酸洗抛光，制得成品单晶铜键合线。

3.根据权利要求2所述的一种单晶铜键合线的制备方法，其特征在于，

步骤(1)中，所述多晶铜坯料的纯度为99.999％；

步骤(2)中，所述多晶铜坯料拉拔挤压温度为800℃，用45号机油加25％片状石墨作为润滑剂，流出模孔速度控制在35/m·min^-1，获得多晶粗铜棒直径为8mm。

4.根据权利要求3所述的一种单晶铜键合线的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，将多晶铜棒再一次挤压成直径为2mm的多晶细铜棒，其中设定条件为挤压温度为850℃,流出模孔速度50/m·min^-1，用45号机油加25％片状石墨作为润滑剂，制得的多晶铜细棒直径为2mm。

5.根据权利要求4所述的一种单晶铜键合线的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，将多晶铜线进行预热处理，然后在小拉丝机上多道次拉制成直径为0.018-0.025mm的多晶铜细线。

6.根据权利要求5所述的一种单晶铜键合线的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，将多晶铜细线进行酸洗，利用石英管对酸洗干燥后的多晶铜细线进行真空封装，真空度低于10^-3Pa；在低于熔点200℃下进行退火热处理；其中退火温度885℃，时间24小时，升温速率10℃/min，退火结束后随石英管一起直接取出，冷水淬火，对退火后的铜键合线表面酸洗抛光，得到成品单晶铜键合线。