[发明专利]掩膜版及显示面板在审
| 申请号： | 202210992979.X | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115394640A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 梁海霞;孙立志 | 申请（专利权）人： | 苏州华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 马广旭 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜版 显示 面板 | ||
1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版设置有多个显示单元图案，所述显示单元图案包括：
源极图案与漏极图案，所述源极图案与所述漏极图案之间形成有沟道图案；其中
所述掩膜版上不同区域内的所述显示单元图案的所述沟道图案的宽度不同。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，多个所述显示单元图案阵列设置于所述掩膜版上；
在第一方向上，不同的所述显示单元图案的所述沟道图案的宽度逐渐递减。
3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，在第一方向上，不同的所述显示单元图案的所述源极图案的宽度相同，所述漏极图案的宽度逐渐递增。
4.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，在第一方向上，不同的所述显示单元图案的所述漏极图案的宽度相同，所述源极图案的宽度逐渐递增。
5.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，在第二方向上，不同的所述显示单元图案的所述沟道图案的宽度逐渐递减。
6.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，在第二方向上，不同的所述显示单元图案的所述源极图案的宽度相同，所述漏极图案的宽度逐渐递增。
7.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，在第二方向上，不同的所述显示单元图案的所述漏极图案的宽度相同，所述源极图案的宽度逐渐递增。
8.如权利要求2或5所述的掩膜版，其特征在于，所述沟道图案的宽度在所述第一方向上的递减率与在所述第二方向上的递减率相同。
9.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版上还设置有多个沟道标记图案，每一所述沟道标记图案对应至少一所述显示单元图案设置，且位于所述显示单元图案的外围；其中
所述沟道标记图案的宽度与其对应的所述显示单元图案的所述沟道图案的宽度相等。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板由如权利要求1至9中任一项所述的掩膜版制备而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
