[发明专利]非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的存储系统

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

第一结构；

第二结构；以及

连接层，

其中，所述第一结构包括：第一衬底；外围电路，设置在所述第一衬底上；第一绝缘结构，设置在所述第一衬底上；多个第一接合焊盘，设置在所述第一绝缘结构上；以及第一互连结构，被所述第一绝缘结构围绕，其中，所述第一互连结构将所述外围电路电连接到所述第一接合焊盘；

其中，所述第二结构包括：导电蚀刻停止层；公共源极线层，设置在所述导电蚀刻停止层上；堆叠结构，包括多个栅极层和多个层间绝缘层，其中，所述多个栅极层中的栅极层与所述多个层间绝缘层中的层间绝缘层交替堆叠在所述公共源极线层上；多个沟道结构，穿透所述堆叠结构的单元区域并接触所述公共源极线层；第二绝缘结构，设置在所述堆叠结构上；多个第二接合焊盘，设置在所述第二绝缘结构上；以及第二互连结构，被所述第二绝缘结构围绕，其中，所述第二互连结构将所述栅极层和所述沟道结构电连接到所述第二接合焊盘，其中，所述第二绝缘结构接触所述第一绝缘结构，其中，所述第二接合焊盘分别接触所述第一接合焊盘，以及其中，所述第二结构接合到所述第一结构；

其中，所述连接层包括：第三绝缘结构，设置在所述第二结构上并覆盖所述导电蚀刻停止层和所述第二绝缘结构；输入/输出通孔，穿透所述第三绝缘结构并连接到所述第二互连结构；以及输入/输出焊盘，连接到所述输入/输出通孔并设置在所述第三绝缘结构上，以及

其中，所述第二绝缘结构和所述第三绝缘结构之间的界面位于所述导电蚀刻停止层的顶表面和底表面之间的竖直高度处。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中，所述导电蚀刻停止层覆盖所述公共源极线层的顶表面。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中，所述导电蚀刻停止层的顶表面设置在相对于所述第一衬底的第一竖直高度处，所述第二绝缘结构和所述第三绝缘结构之间的界面设置在相对于所述第一衬底的第二竖直高度处，以及所述导电蚀刻停止层的底表面设置在相对于所述第一衬底的第三竖直高度处，以及

其中，所述第一竖直高度与所述第二竖直高度之间的距离小于所述第二竖直高度与所述第三竖直高度之间的距离。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，

其中，所述第一竖直高度与所述第二竖直高度之间的距离小于或等于所述导电蚀刻停止层的厚度的约10％。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，

其中，所述导电蚀刻停止层包括包含碳的导电材料、金属或导电金属氮化物。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，

其中，所述导电蚀刻停止层包括包含约1原子％至约5原子％碳的导电材料。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，

还包括设置在所述公共源极线层和所述堆叠结构之间的下导电层。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，

其中，所述沟道结构包括沟道层和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述沟道层和所述堆叠结构的所述单元区域之间，以及

其中，所述下导电层穿透所述栅极绝缘层并接触所述沟道层。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，

其中，所述栅极绝缘层还设置在所述公共源极线层与所述沟道层之间。