[发明专利]数字衰减器

权利要求书

1.一种数字衰减器，其特征在于，包括依次级联的多个开关内嵌式衰减结构，每个所述开关内嵌式衰减结构的参考态信号通路与衰减态信号通路分别由不同的单刀单掷开关切换控制，所述单刀单掷开关采用恒定偏置电压设计及栅衬底射频悬浮设计。

2.根据权利要求1所述的数字衰减器，其特征在于，所述数字衰减器包括依次级联的六个所述开关内嵌式衰减结构，第一个所述开关内嵌式衰减结构、第二个所述开关内嵌式衰减结构及第三个所述开关内嵌式衰减结构分别包括桥T型结构，第四个所述开关内嵌式衰减结构、第五个所述开关内嵌式衰减结构及第六个所述开关内嵌式衰减结构分别包括π型结构。

3.根据权利要求1或2所述的数字衰减器，其特征在于，第一个所述开关内嵌式衰减结构包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一单刀单掷开关及第二单刀单掷开关，所述第一单刀单掷开关包括第一NMOS管，所述第二单刀单掷开关包括第二NMOS管，所述第一NMOS管的漏极作为第一个所述开关内嵌式衰减结构的输入端，所述第一NMOS管的源极作为第一个所述开关内嵌式衰减结构的输出端，所述第一NMOS管的栅极接第一控制信号，所述第一电阻的一端接所述第一NMOS管的漏极，所述第一电阻的另一端接所述第一NMOS管的源极，所述第二电阻的一端接所述第一NMOS管的漏极，所述第二电阻的另一端经串接的所述第三电阻后接所述第一NMOS管的源极，所述第二NMOS管的漏极接所述第二电阻与所述第三电阻的公共端，所述第二NMOS管的源极经串接的所述第四电阻后接地，所述第二NMOS管的栅极接所述第一控制信号的反相信号。

4.根据权利要求3所述的数字衰减器，其特征在于，第四个所述开关内嵌式衰减结构包括第五电阻、第六电阻、第七电阻、第三单刀单掷开关、第四单刀单掷开关及第五单刀单掷开关，所述第三单刀单掷开关包括第三NMOS管，所述第四单刀单掷开关包括第四NMOS管，所述第五单刀单掷开关包括第五NMOS管，所述第三NMOS管的漏极作为第四个所述开关内嵌式衰减结构的输入端，所述第三NMOS管的源极作为第四个所述开关内嵌式衰减结构的输出端，所述第三NMOS管的栅极接第四控制信号，所述第五电阻的一端接所述第三NMOS管的漏极，所述第五电阻的另一端接所述第三NMOS管的源极，所述第四NMOS管的漏极接所述第三NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极经串接的所述第六电阻后接地，所述第四NMOS管的栅极接所述第四控制信号的反相信号，所述第五NMOS管的漏极接所述第三NMOS管的源极，所述第五NMOS管的源极经串接的所述第七电阻后接地，所述第五NMOS管的栅极接所述第四控制信号的反相信号。