[发明专利]OLED显示面板及其掩膜版组、制备方法在审
申请号: | 202210997673.3 | 申请日: | 2022-08-19 |
公开(公告)号: | CN115513260A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 舒鹏;周红 | 申请(专利权)人: | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 掩膜版组 制备 方法 | ||
本申请公开了一种OLED显示面板及其掩膜版组、制备方法。该OLED显示面板包括基板及多个像素单元,像素单元包括阳极、阴极和发光层;发光层限定出主发光区和边发光区,边发光区位于主发光区的旁侧,发光层包括对应主发光区设置的主发光部和对应边发光区设置的边发光部;边发光部的厚度小于主发光部的厚度。本申请中,主发光部的厚度相对较厚,能够在主发光区形成较强的微腔效应,有助于提升主发光区的发光效率和发光光色的色纯度;边发光部的厚度相对较薄,缩短边发光区处的微腔腔长,使得发光层中不同的发光区域形成不同的微腔腔长、出射不同的发光波长,有助于发光层的出射光线发散,达到改善视角色偏的目的。
技术领域
本申请涉及有机发光显示设备技术领域,具体涉及一种OLED显示面板及其掩膜版组、制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板具有更轻薄、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性高、发光效率高等特点,满足用户需求而被广泛应用于市场中。
OLED显示面板包括顶发光结构,顶发光结构可以利用较强的微腔效应来提升发光效率以及发光光色的色纯度。但微腔效应会导致大视角下的显示亮度快速衰减,且色偏严重。尤其对应大尺寸的OLED显示面板,由于其AA区面积相对较大,对于用户的视角范围也相应增加,这导致OLED显示面板因大视角所引起的色度偏差和亮度偏差问题更加显现出来。
发明内容
本申请实施例提供一种OLED显示面板及其掩膜版组、制备方法,旨在解决由微腔效应造成的大视角下的色度偏差和亮度偏差的问题。
本申请实施例提供一种OLED显示面板,包括基板及设于所述基板的多个像素单元,至少一所述像素单元包括阳极、阴极以及设于所述阳极和所述阴极之间的发光层;
所述发光层限定出主发光区和边发光区,所述主发光区至少覆盖所述发光层的中部,所述边发光区位于所述主发光区的旁侧,所述发光层包括对应所述主发光区设置的主发光部和对应所述边发光区设置的边发光部;
其中,所述边发光部的厚度小于所述主发光部的厚度。
根据本申请一实施例,所述边发光部在远离所述主发光部的方向上呈厚度渐小设置。
根据本申请一实施例,所述发光层包括沿其厚度方向堆叠布设的功能材料层和主体材料层;
所述功能材料层和/或所述主体材料层限定出所述主发光部和所述边发光部。
根据本申请一实施例,所述边发光区沿所述主发光区的周向环绕布设。
根据本申请一实施例,所述主发光区的面积为S1,所述主发光区和所述边发光区的总面积为S,S1与S的占比为85%~95%。
根据本申请一实施例,所述像素单元还包括:
空穴注入层,设于所述阳极和所述发光层之间;
空穴传输层,设于所述空穴注入层和所述发光层之间;
电子阻挡层,设于所述空穴传输层和所述发光层之间;
空穴阻挡层,设于所述发光层和所述阴极之间;
电子传输层,设于所述空穴阻挡层和所述阴极之间;以及,
电子注入层,设于所述电子传输层和所述阴极之间。
此外,为实现上述目的,本申请实施例还提供一种如上所述的OLED显示面板的掩膜版组,所述掩膜版组包括第一精密掩膜版,所述第一精密掩膜版沿其厚度方向贯设有第一掩膜开口;
其中,所述第一掩膜开口的形状及尺寸与所述主发光区的形状及尺寸分别适配。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州华星光电半导体显示技术有限公司,未经广州华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210997673.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的