[发明专利]单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种单晶硅上3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，以单晶硅片为阴极，以碳化硅纳米线的悬浮液作为电泳沉积液，将单晶硅片浸于碳化硅纳米线的悬浮液中，于50～100V的电压下，采用直流电进行电泳沉积处理，以在单晶硅片上形成具有均匀且致密的异质结结构的碳化硅纳米线层；

其中，所述异质结结构为p-i结、p-n结和p-i-n结中的任意一种；

步骤2，采用氩等离子体对碳化硅纳米线层进行焊接处理，以将相邻的纳米线之间焊接形成碳化硅纳米线网络薄膜，即获得所述3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述p-i结由p型单晶硅片与所述碳化硅纳米线形成；

所述p-n结由n型单晶硅片与p型碳化硅纳米线形成，或由p型单晶硅片与n型碳化硅纳米线形成；

所述p-i-n结由p型单晶硅片与所述碳化硅纳米线和n型碳化硅纳米线形成。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述n型单晶硅片由所述单晶硅片与掺杂源A制备而得，所述掺杂源A为P、As、Sb中的任意一种；

所述p型单晶硅片由所述单晶硅片与掺杂源B制备而得，所述掺杂源B为B、Al、Ga中的任意一种。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述n型碳化硅纳米线由所述碳化硅纳米线与掺杂源C制备而得，所述掺杂源C为三聚氢胺，碳酸氢氨，硝酸氨，尿素，草酸，红磷和黑磷中的任意一种或多种；

所述p型碳化硅纳米线由所述碳化硅纳米线与掺杂源D制备而得，所述掺杂源D为硼，铝，硝酸铝，氯化铝和氯化硼中的任意一种或多种。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电泳沉积处理时，以铂片为阳极，且电极间距为0.5～2cm。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述焊接处理的工艺如下：

于500～1000℃的温度下，采用氩等离子体对碳化硅纳米线层表面处理5～60min，随后施加以5～10MPa的力，升温至1000～1500℃后焊接30～60min。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅纳米线的悬浮液中碳化硅纳米线的含量为0.05～0.1g/100mL。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还对步骤2获得的所述碳化硅纳米线网络薄膜经过高温键合处理。

9.一种权利要求1-8任意一项所述的制备方法制备的3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜。

10.一种权利要求9所述的3C-SiC纳米线功能复合网络薄膜在制备SiC纳米光电器件中的应用。