[发明专利]一种晶硅电池片去膜返工方法

权利要求书

1.一种晶硅电池片去膜返工方法，其特征在于，包括：

将返工片置于酸洗槽中进行初步酸洗；

将经过所述初步酸洗的返工片置于碱洗槽中进行初步碱洗，其中，所述碱洗槽的碱洗液中包括消泡剂；

将经过所述初步碱洗的返工片进行至少一次次酸洗及至少一次次碱洗，得到去膜硅片。

2.如权利要求1所述的晶硅电池片去膜返工方法，其特征在于，所述初步酸洗的酸洗液中包括极性表面活性剂。

3.如权利要求2所述的晶硅电池片去膜返工方法，其特征在于，所述极性表面活性剂为氨基酸表面活性剂。

4.如权利要求2所述的晶硅电池片去膜返工方法，其特征在于，所述极性表面活性剂在所述酸洗液中的含量的范围为0.8％至1.2％，包括端点值。

5.如权利要求1所述的晶硅电池片去膜返工方法，其特征在于，所述消泡剂在所述碱洗液中的含量的范围为1.0％至1.2％，包括端点值。

6.如权利要求1所述的晶硅电池片去膜返工方法，其特征在于，在所述初步酸洗之前，还包括：

使用氢氟酸及盐酸的混合酸液对所述返工片进行预清洗。

7.如权利要求6所述的晶硅电池片去膜返工方法，其特征在于，所述预清洗的温度范围为10摄氏度至60摄氏度之间，包括端点值。

8.如权利要求1所述的晶硅电池片去膜返工方法，其特征在于，所述碱洗液中还包括苯甲酸钠或表面活性剂。

9.如权利要求2所述的晶硅电池片去膜返工方法，其特征在于，所述酸洗液中还包括N-苯基乙醇胺、柠檬酸、柠檬烯及表面扩散剂中的至少一种。

10.如权利要求1至9任一项所述的晶硅电池片去膜返工方法，其特征在于，在任一次酸洗与碱洗之间，将所述返工片放置于去离子水中清洗。