[发明专利]一种提高MTP编程能力的工艺方法

权利要求书

1.一种提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法至少包括：

1)提供具有MTP单元区域和NMOS区域的衬底，在所述衬底表面形成栅极；

2)采用第一掩膜层覆盖所述NMOS区域，对所述MTP单元区域进行离子注入，形成MTP注入区和MTP源漏区，去除所述第一掩膜层；

3)在所述栅极的两侧形成侧墙；

4)采用第二掩膜层覆盖所述MTP单元区域，对所述NMOS区域进行离子注入，形成LDD斜打注入区和NMOS源漏区。

2.根据权利要求1所述的提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于：所述步骤2)中，先在步骤1)获得的结构表面形成全覆盖的第一掩膜层，然后采用光刻和显影技术，图形化所述第一掩膜层，使所述第一掩膜层仅覆盖所述NMOS区域，暴露出所述MTP单元区域以对所述MTP单元区域进行离子注入。

3.根据权利要求1所述的提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于：所述步骤4)中，先在步骤3)获得的结构表面形成全覆盖的第二掩膜层，然后采用光刻和显影技术，图形化所述第二掩膜层，使所述第二掩膜层仅覆盖所述MTP单元区域，暴露出所述NMOS区域以对所述NMOS区域进行离子注入。

4.根据权利要求1～3任一项所述的提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于：所述第一掩膜层和所述第二掩膜层包括光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于：所述MTP单元区域和所述NMOS区域之间利用浅沟道隔离区来隔离。

6.根据权利要求1所述的提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于：所述衬底还具有PMOS区域，所述步骤2)中，采用第一掩膜层覆盖所述NMOS区域，同时将所述PMOS区域覆盖；所述步骤4)中，采用第二掩膜层覆盖所述MTP单元区域，同时将所述PMOS区域覆盖。

7.根据权利要求1所述的提高MTP编程能力的工艺方法，其特征在于：所述步骤4)中，所述LDD斜打注入区一部分延伸到所述侧墙下面的所述衬底中。