[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的多个间隔排布的半导体柱，所述半导体柱包括沿第一方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，所述半导体柱具有中空区，且至少所述沟道区环绕所述中空区；

沿第二方向延伸的位线，所述位线与沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱的所述第一掺杂区相接触；

沿第三方向延伸的字线，所述字线环绕沿所述第三方向排布的多个所述半导体柱的所述沟道区。

2.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，在垂直于所述第一方向的剖面上，所述中空区的剖面面积为第一面积，所述中空区与所述沟道区的剖面面积之和为第二面积，所述第一面积与所述第二面积的比值为1：3～5：6。

3.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，在沿所述第一掺杂区指向所述第二掺杂区的方向上，所述中空区贯穿所述半导体柱，且所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区均环绕所述中空区。

4.如权利要求1或3所述半导体结构，其特征在于，还包括：绝缘层，所述绝缘层填充满所述中空区；或者，所述绝缘层位于部分所述中空区内，且所述绝缘层与所述半导体柱围成空气间隙。

5.如权利要求3所述半导体结构，其特征在于，还包括：绝缘层，所述绝缘层位于部分所述中空区内，且所述绝缘层至少位于所述第二掺杂区朝向所述中空区的内壁，所述绝缘层以外的所述中空区为空气间隙。

6.如权利要求5所述半导体结构，其特征在于，所述绝缘层还位于所述第一掺杂区朝向所述中空区的内壁，以及位于所述沟道区朝向所述中空区的内壁。

7.如权利要求6所述半导体结构，其特征在于，所述绝缘层还封堵所述中空区邻近所述第二掺杂区的端部区域；和/或，所述绝缘层还封堵所述中空区邻近所述第一掺杂区的端部区域。

8.如权利要求3所述半导体结构，其特征在于，还包括：绝缘层，所述绝缘层至少封堵所述中空区邻近所述第二掺杂区的端部区域，且所述绝缘层位于部分所述中空区内，且所述绝缘层以外的所述中空区为空气间隙。

9.如权利要求5或8所述半导体结构，其特征在于，还包括，电容，所述电容与所述第二掺杂区电连接，且所述电容位于所述绝缘层远离所述第一掺杂区的表面。

10.如权利要求1所述半导体结构，其特征在于，所述第一方向为垂直于所述基底表面的方向。

11.如权利要求10所述半导体结构，其特征在于，还包括：半导体层，所述半导体层位于所述基底表面且沿所述第二方向延伸，所述半导体层与沿所述第二方向排布的所述半导体柱邻近所述基底表面的外壁相连接。

12.如权利要求11所述半导体结构，其特征在于，所述半导体柱与所述半导体层为一体成型结构。

13.如权利要求11所述半导体结构，其特征在于，所述位线还位于所述半导体层表面，且所述位线环绕所述半导体柱的部分所述第一掺杂区。

14.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，

提供基底；

形成位于所述基底上的多个间隔排布的半导体柱，所述半导体柱包括沿第一方向依次分布的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，所述半导体柱具有中空区，且至少所述沟道区环绕所述中空区；

形成沿第二方向延伸的位线，所述位线与沿所述第二方向排布的多个所述半导体柱的所述第一掺杂区相接触；

形成沿第三方向延伸的字线，所述字线环绕沿所述第三方向排布的多个所述半导体柱的所述沟道区。