[发明专利]一种叠层源漏电极结构及其制备方法和应用、有机薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种叠层源漏电极结构，其特征在于，包括层叠设置的导电源漏电极和少数载流子注入阻挡层，所述少数载流子注入阻挡层与有机半导体有源层形成I型和/或II型异质结界面。

2.根据权利要求1所述的叠层源漏电极结构，其特征在于，当形成所述II型异质结界面时，所述少数载流子注入阻挡层的材质为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、氧化钼、氧化钨、氧化钒或2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌。

3.根据权利要求1所述的叠层源漏电极结构，其特征在于，当形成所述I型异质结界面时，所述少数载流子注入阻挡层的材质为宽禁带半导体材料，所述宽禁带半导体材料包括三(4-咔唑基-9-基苯基)胺、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯、N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、1,3-二咔唑-9-基苯、1,1-双[4-[N,N-二(对甲苯基)氨基]苯基]环己烷或4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。

4.根据权利要求1所述的叠层源漏电极结构，其特征在于，所述少数载流子注入阻挡层的厚度为2～100nm。

5.根据权利要求1所述的叠层源漏电极结构，其特征在于，所述导电源漏电极的材质包括导电金属单质、导电金属氧化物和有机导电高分子中的一种或多种。

6.权利要求1～5任一项所述的叠层源漏电极结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在少数载流子注入阻挡层的表面进行沉积，形成所述导电源漏电极，得到所述叠层源漏电极结构。

7.权利要求1～5任一项所述的叠层源漏电极结构或权利要求6所述制备方法制得的叠层源漏电极结构在有机薄膜晶体管中的应用。

8.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括依次层叠设置的权利要求1～5任一项所述的叠层源漏电极结构或权利要求6所述制备方法制得的叠层源漏电极结构、有机半导体有源层、绝缘介电层、栅电极和衬底，所述叠层源漏电极中的少数载流子注入阻挡层与所述有机半导体有源层接触。

9.根据权利要求8所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体有源层的材质包括有机半导体材料，所述有机半导体材料包括酞菁铜、并五苯、C60、并四苯、红荧烯和α-八噻吩的一种或多种。

10.权利要求8或9所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述衬底的表面依次设置所述栅电极和绝缘介电层，然后进行沉积，依次形成有机半导体有源层和叠层源漏电极结构，得到所述有机薄膜晶体管。