[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202211007418.6 | 申请日: | 2022-08-22 |
公开(公告)号: | CN115347026A | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 李雨生;张凯;帅铭;赵洋;洪执华;桂志祥;姚凯;王麒麟;杨钱龙;姚舜;袁靖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 王存霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。该显示基板包括:基板;薄膜晶体管,设置在基板的一侧,薄膜晶体管包括栅极;信号传输层,位于栅极远离基板的一侧,栅极与信号传输层电连接,信号传输层用于与外部电路连接;其中:栅极为闭合结构;或者,栅极为非闭合结构,栅极具有开口,栅极的开口端与信号传输层连接,以使栅极与信号传输层配合形成闭合结构。本申请实施例解决了现有技术存在栅极处于Floating状态,容易积累静电,造成静电击伤的技术问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光)显示技术由于其对比度高、色域广、重量轻等优点,其普及范围越来越广,目前OLED显示技术也成为NB(NotebookComputer,手提电脑)和车载等中尺寸显示产品的发展主流。
在现有的中尺寸OLED显示面板设计方法中,一些OLED产品的TFT(Thin FilmTransistor,薄膜场效应晶体管)的栅极处于Floating(浮空)状态,容易积累静电,造成静电击伤,使产品良率下降。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种显示基板及其制备方法、显示装置,用以解决现有技术存在栅极处于Floating状态,容易积累静电,造成静电击伤的技术问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种显示基板,包括:基板;薄膜晶体管,设置在基板的一侧,薄膜晶体管包括栅极;信号传输层,位于栅极远离基板的一侧,栅极与信号传输层电连接,信号传输层用于与外部电路连接;其中:栅极为闭合结构;或者,栅极为非闭合结构,栅极具有开口,栅极的开口端与信号传输层连接,以使栅极与信号传输层配合形成闭合结构。
可选地,信号传输层包括第一传输线和至少一个第二传输线,第一传输线用于与外部电路连接,各第二传输线的一端均与第一传输线连接;第一传输线与栅极连接,第二传输线远离第一传输线的一端与栅极的开口端连接,且第一传输线和栅极的连接点在基板上的正投影与第二传输线和栅极的连接点在基板上的正投影无交叠。
可选地,栅极呈“L”型,包括相连接的第一栅极段和第二栅极段,第一栅极段与第二栅极段呈夹角设置,第一栅极段远离第二栅极段的一端与第一传输线连接,第二栅极段远离第一栅极段的一端与第二传输线连接;或者,栅极呈“U”型,包括第一栅极段、第二栅极段和第三栅极段,第二栅极段与第一栅极段的一端连接且与第一栅极段呈夹角设置,第三栅极段与第一栅极段的另一端连接且与第一栅极段呈夹角设置;第一传输线与第一栅极段连接,第二传输线的数量为两个,其中一个第二传输线与第二栅极段远离第一栅极段的一端连接,另一个第二传输线与第三栅极段远离第一栅极段的一端连接。
可选地,栅极呈“U”型,包括依次连接的第一栅极段、第二栅极段和第三栅极段,第一栅极段和第二栅极段呈夹角设置,第三栅极段和第二栅极段呈夹角设置;信号传输层包括第一传输线,第一传输线用于与外部电路连接;第一栅极段远离第二栅极段的一端与第一传输线连接,第三栅极段远离第二栅极段的一端与第一传输线连接。
可选地,栅极呈“口”型,信号传输层包括第一传输线,第一传输线用于与外部电路连接;栅极“口”型的两边均与第一传输线连接。
可选地,显示基板还包括第一绝缘层,第一绝缘层位于栅极和信号传输层之间,第一绝缘层覆盖栅极;信号传输层通过贯穿第一绝缘层的至少两个第一通孔与栅极电连接。
第二个方面,本申请实施例提供了一种显示装置,包括:上述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的