[发明专利]一种透镜耦合方法有效
申请号: | 202211010589.4 | 申请日: | 2022-08-23 |
公开(公告)号: | CN115267988B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 万仁;李林科;吴天书;杨现文;张健 | 申请(专利权)人: | 武汉联特科技股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;G02B6/32 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 吴慧珺 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透镜 耦合 方法 | ||
1.一种透镜耦合方法,其特征在于,包括如下步骤:
将透镜移动至与待耦合芯片耦合的位置,在靠近透镜一侧设置外部光源,外部光源发出激光,使激光通过透镜耦合到待耦合芯片的波导中;
在靠近待耦合芯片一侧设置光电转化检测组件,所述待耦合芯片为激光器芯片,激光从待耦合芯片的发光面进入、背光面发出,被光电转化检测组件接收,通过光电转化检测组件将进入到待耦合芯片的光转化为响应电流;
调整透镜位置进行耦合,当光电转化检测组件检测到响应电流最大时,固化对应透镜位置,即完成透镜耦合。
2.如权利要求1所述的透镜耦合方法,其特征在于,所述外部光源为发散光源或平行光源。
3.如权利要求2所述的透镜耦合方法,其特征在于,所述外部光源为波长可调发散光源或波长可调平行光源,所述待耦合芯片为激光器芯片,所述光电转化检测组件为激光器自带的背光探测器或者外加的光探测器;
在外部光源发出激光耦合到激光器芯片之前,先将外部光源波长调节到与激光器芯片波长一致,且外部光源波长光功率调节到10~20mW。
4.如权利要求3所述的透镜耦合方法,其特征在于,在外部光源发出激光耦合到激光器芯片过程中,给激光器芯片加比阈值大1~2mA的电流驱动电流。
5.如权利要求2所述的透镜耦合方法,其特征在于,所述外部光源为波长可调发散光源或波长可调平行光源,所述待耦合芯片为激光器芯片,所述光电转化检测组件包括光开关、波长计和光探测器;
在外部光源发出激光耦合到激光器芯片过程中,先给激光器芯片加正常的工作电流,并通过光开关切换光路,将激光器芯片发出的背光送到波长计测试波长;测试完成后,给激光器芯片加比阈值大1~2mA的电流驱动电流,激光器芯片背面发出的激光,通过光开关切换光路到波长计端,波长计将读取到的波长反馈到外部光源,同时外部光源调节其发出的激光波长与激光器芯片波长一致,即完成波长测试;
波长测试完成后,将光开关切换光路到光探测器一端,外部光源发出的激光通过透镜耦合到激光器芯片的波导中,激光从激光器芯片波导发光面进入,背光面发出,被光探测器接收,光探测器将光转化为响应电流,作为耦合的指示,响应电流最大时,固化透镜,完成透镜耦合过程。
6.如权利要求5所述的透镜耦合方法,其特征在于,所述光开关采用光分路器。
7.如权利要求2所述的透镜耦合方法,其特征在于,所述待耦合芯片为EML芯片,所述外部光源的波长与EML芯片波长处于同一波段,所述光电转化检测组件为电流表,该电流表与EML芯片的EA部分形成电流监测回路;
外部光源发出的激光通过透镜耦合到EML芯片的波导中,激光从EML芯片波导发光面进入,被EA部分吸收接收,EA部分将吸收光转化为响应电流,作为耦合的指示,响应电流最大时,固化透镜,完成透镜耦合过程。
8.如权利要求7所述的透镜耦合方法,其特征在于,所述外部光源的光功率为EML芯片正常出光功率的一半。
9.如权利要求1~8任一项所述的透镜耦合方法,其特征在于,包括多个待耦合芯片,每个待耦合芯片采用所述透镜耦合方法进行耦合。
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