[发明专利]dIdD磁力仪不水平度检测方法、装置和电子设备

权利要求书

1.一种dIdD磁力仪不水平度检测方法，所述dIdD磁力仪包括正交球形线圈和总场传感器，其中，所述正交球形线圈由磁倾角C_i线圈和磁偏角C_d线圈组成，所述磁倾角C_i线圈和所述磁偏角C_d线圈相互正交，所述总场传感器用于测量由地磁总场和偏置场叠加的合成场及无偏场，其特征在于，包括：

获取初始时刻的磁通门传感器测量的初始总场强度在XYZ坐标系下的分量X₀、Y₀和Z₀；其中，初始总场强度分量X₀、Y₀和Z₀为所述dIdD磁力仪完成初始线圈对准时对应的初始时刻测量的；

获取任一测量周期内所述dIdD磁力仪的五个测量值F_i+，F_i-，F_d+，F_d-和F；其中，F_i+和F_i-分别为向所述磁倾角C_i线圈施加强度为A_i的正反偏置场得到的正向合成场和负向合成场，F_d+和F_d-分别为向所述磁偏角C_d线圈施加强度为A_d的正反偏置场得到的正向合成场和负向合成场，F为无偏场；

获取所述任一测量周期对应时刻所述磁通门传感器测量的总场强度在XYZ坐标系下的分量值F_x、F_y、F_z；

基于初始总场强度分量X₀、Y₀和Z₀，总场强度的分量值F_x、F_y和F_z，所述五个测量值F_i+，F_i-，F_d+，F_d-和F，以及偏置场强度A_i和A_d，确定所述dIdD磁力仪的偏置磁场不水平度ε₀。

2.根据权利要求1所述的dIdD磁力仪不水平度检测方法，其特征在于，所述基于初始总场强度分量X₀、Y₀和Z₀，总场强度的分量值F_x、F_y和F_z，所述五个测量值F_i+，F_i-，F_d+，F_d-和F，以及偏置场强度A_i和A_d，确定所述dIdD磁力仪的偏置磁场不水平度ε₀，具体包括：

基于所述五个测量值F_i+，F_i-，F_d+，F_d-和F，以及偏置场强度A_i和A_d，确定无偏场F在dIdD磁力仪坐标系下的分量值F_i、F_d和F_f；

将分量值F_i、F_d和F_f经过坐标系变换转换到XYZ坐标系中，并基于初始总场强度分量X₀、Y₀和Z₀，以及总场强度的分量值F_x、F_y和F_z解算出所述dIdD磁力仪的偏置磁场不水平度ε₀。