[发明专利]一种离子注入工艺监控方法

权利要求书

1.一种离子注入工艺监控方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一待离子注入晶圆，于所述晶圆的上表面形成保护层；

于所述保护层的上表面形成光阻层，将所述晶圆固定于离子注入机台的靶盘上，基于所述光阻层对所述晶圆进行离子注入；

实时读出所述离子注入机台的工作日志中离子束带的扫描位置及对应扫描位置的等离子体发射枪产生的发射电流数据并导出，基于导出数据绘制所述离子束带扫描位置与所述发射电流的实时变化曲线，所述实时变化曲线至少显示两个扫描周期；

提供参照曲线，所述参照曲线是基于离子未注入进所述晶圆中时的所述离子束带扫描位置与发射电流数据绘制，将所述实时变化曲线与所述参照曲线进行对比，并根据对比结果判断所述离子注入机台的离子注入的实时工作状态，以确认机台是否正常工作，离子注入异常，所述发射电流的电流值低于正常离子注入的电流值。

2.根据权利要求1所述的离子注入工艺监控方法，其特征在于：形成所述光阻层之后，进行离子注入之前，还包括对所述光阻层进行图案化的步骤。

3.根据权利要求1所述的离子注入工艺监控方法，其特征在于：在离子注入的过程中，所述离子束带对所述晶圆进行上下扫描。

4.根据权利要求1所述的离子注入工艺监控方法，其特征在于：所述离子束带在垂直于扫描方向的长度不小于所述晶圆的直径，所述离子束带在扫描方向的长度小于所述晶圆的直径。

5.根据权利要求1所述的离子注入工艺监控方法，其特征在于：所述发射电流包括中和所述晶圆表面的电荷产生的电流及机台消耗电荷产生的电流。

6.根据权利要求1所述的离子注入工艺监控方法，其特征在于：正常离子注入的过程中，所述实时变化曲线呈类周期性变化。

7.根据权利要求1所述的离子注入工艺监控方法，其特征在于：正常离子注入过程中，所述离子束带扫描至所述晶圆的中间部分时对应的所述发射电流值大于所述离子束带扫描至所述晶圆的顶部及所述晶圆的底部时对应的所述发射电流值。

8.根据权利要求1所述的离子注入工艺监控方法，其特征在于：基于对比结果对所述离子注入机台的相应硬件进行调整或者对所述离子束带进行微调。