[发明专利]压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备

说明书

本发明提供一种压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备，压力传感器的制作方法包括以下步骤：在第一图形层的第一区域和第二图形层的第一区域通过离子注入在衬底上形成P型重掺杂层；在第一图形层的第二区域和第二图形层的第二区域通过离子注入在衬底上形成P型轻掺杂层；在第二图形层的对应的缓冲层注入N型重掺杂离子；退火以使得N型重掺杂离子自缓冲层扩散形成第一N型重掺杂层和第二N型重掺杂层，第一N型重掺杂层由N型重掺杂离子扩散至P型轻掺杂层形成，且第一N型重掺杂层不穿透P型轻掺杂层；在缓冲层上设置电极。该压力传感器的制作方法具有制作工艺简单、制造成本低的优点。

技术领域

本发明涉及压力传感器技术领域，尤其涉及一种压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备。

背景技术

在工程和研发过程中，很多待测变量与温度相关，因此高精度的温度补偿就十分必要。将集电极和基极短接后的三极管具有优良的温度测试性能且可以被集成在传感器中。举例来说，可以通过在压力传感器芯片上集成三极管温度传感来实现温度测量，对温度传感器进行温度补偿。而现有的三极管制备方案是在压力传感器工艺基础上进行新的工艺开发，将标准的BJT CMOS工艺集成到传感器芯片上，但采用该工艺制作的压力传感器制作成本较高：并且采用上述叠加方案需要在代工厂进行新的工艺开发和跨平台制程配合，制备过程繁琐的同时增加制造成本。

鉴于此，有必要提供一种新的压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备，以解决或至少缓解上述技术缺陷。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种压力传感器的制作方法、压力传感器及电子设备，旨在解决现有技术中压力传感器的制作成本高和制作过程繁琐的技术问题。

为实现上述目的，根据本发明的一个方面，本发明提供一种压力传感器的制作方法，所述压力传感器的制作方法包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底表面形成一层缓冲层；

在所述缓冲层上形成一层光刻胶层，在所述光刻胶层形成第一图形层和第二图形层；

在所述第一图形层的第一区域和所述第二图形层的第一区域通过离子注入在所述衬底上形成P型重掺杂层；在所述第一图形层的第二区域和所述第二图形层的第二区域通过离子注入在所述衬底上形成P型轻掺杂层；

在所述第二图形层的对应的所述缓冲层注入N型重掺杂离子；

退火以使得所述N型重掺杂离子自所述缓冲层扩散形成N型重掺杂层，所述N型重掺杂层包括第一N型重掺杂层和第二N型重掺杂层，所述第一N型重掺杂层由所述N型重掺杂离子扩散至所述P型轻掺杂层形成，且所述第一N型重掺杂层不穿透所述P型轻掺杂层；所述第二N型重掺杂层由所述N型重掺杂离子扩散至所述衬底形成；

在所述缓冲层上设置电极。

在一实施例中，所述在所述衬底上形成第一图形层和第二图形层的步骤包括：

通过黄光光刻在所述光刻胶层上形成第一图形层和第二图形层。

在一实施例中，所述在所述第一图形层的第一区域和所述第二图形层的第一区域通过离子注入形成P型重掺杂层中，注入的离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。

在一实施例中，所述在所述缓冲层注入N型重掺杂离子中，所述N型重掺杂离子为氮离子、磷离子或砷离子中的至少一种。

在一实施例中，所述衬底为硅衬底。

在一实施例中，所述缓冲层为二氧化硅层。

在一实施例中，所述电极的数量为多个，所述P型重掺杂层和N型重掺杂层分别与电极连接。

在一实施例中，所述第一图形层区域与对应的所述衬底形成压力感应模块，所述第二图形层区域与所述对应的所述衬底形成三极管温度感应模块。