[发明专利]一种PERC太阳能电池氧化层及其优化方法在审
申请号: | 202211016703.4 | 申请日: | 2022-08-24 |
公开(公告)号: | CN115295679A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 齐利娜;任勇;何悦;彭宏杰;吕志翔;任永伟;周永安 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B29/06;C30B33/00;C30B33/02;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 赵颖 |
地址: | 322118 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 太阳能电池 氧化 及其 优化 方法 | ||
1.一种PERC太阳能电池氧化层的优化方法,其特征在于,所述优化方法包括依次进行的进舟、恒压、检漏、恒温、氧化、充氮和出舟;
所述恒压包括依次进行的第一恒压、第二恒压和第三恒压;
所述氧化包括依次进行的第一氧化和第二氧化;
所述氧化伴随着氮气和氧气的通入,且氮氧流量比为1:(2-4);
所述恒压至充氮的过程中炉内温度从炉口至炉尾逐渐降低。
2.根据权利要求1所述的优化方法,其特征在于,所述恒压至充氮的过程中炉口温度比炉中温度高5-10℃;
优选地,所述恒压至充氮的过程中炉中温度比炉尾温度高5-10℃;
优选地,所述进舟和出舟的温度比中间各步温度高20-30℃。
3.根据权利要求1或2所述的优化方法,其特征在于,所述进舟的温度为600-800℃;
优选地,所述进舟的小氮流量为400-600sccm;
优选地,所述进舟的大氮流量为2000-4000sccm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的优化方法,其特征在于,所述第一恒压的时间为100-300s;
优选地,所述第一恒压的压力为50-150mbar;
优选地,所述第一恒压的温度为650-700℃;
优选地,所述第一恒压的小氮流量为100-300sccm;
优选地,所述第二恒压的时间为200-300s;
优选地,所述第二恒压的压力为600-800mbar;
优选地,所述第二恒压的温度为650-700℃;
优选地,所述第二恒压的小氮流量为100-300sccm;
优选地,所述第二恒压的大氮流量为10000-20000sccm;
优选地,所述第三恒压的时间为100-200s;
优选地,所述第三恒压的压力为50-150mbar;
优选地,所述第三恒压的温度为650-700℃;
优选地,所述第三恒压的小氮流量为100-300sccm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的优化方法,其特征在于,所述检漏的时间为30-90s;
优选地,所述检漏的压力为950-1050mbar;
优选地,所述检漏的温度为650-700℃;
优选地,所述恒温的时间为30-90s;
优选地,所述恒温的压力为50-150mbar;
优选地,所述恒温的温度为650-700℃;
优选地,所述恒温的小氮流量为100-300sccm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的优化方法,其特征在于,所述第一氧化的时间为250-350s,进一步优选为320-350s;
优选地,所述第一氧化的压力为50-150mbar;
优选地,所述第一氧化的温度为650-700℃;
优选地,所述第一氧化的氮气流量为2000-4000sccm;
优选地,所述第一氧化的氧气流量为6000-10000sccm;
优选地,所述第二氧化的时间为1500-1700s,进一步优选为1500-1600s;
优选地,所述第二氧化的压力为50-150mbar;
优选地,所述第二氧化的温度为650-700℃;
优选地,所述第二氧化的氮气流量为2000-4000sccm;
优选地,所述第二氧化的氧气流量为6000-10000sccm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的优化方法,其特征在于,所述充氮的时间为100-140s;
优选地,所述充氮的压力为950-1050mbar;
优选地,所述充氮的温度为650-700℃。
8.根据权利要求1-7任一项所述的优化方法,其特征在于,所述出舟的温度为600-800℃;
优选地,所述出舟的小氮流量为400-600sccm;
优选地,所述出舟的大氮流量为2000-4000sccm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的