[发明专利]具有用于电感耦合的线圈的半导体管芯和设备在审

专利信息
申请号: 202211017868.3 申请日: 2022-08-24
公开(公告)号: CN115863319A 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: P·鲍姆加特纳;J·阿森马赫尔;W·卢茨;M·奥斯特迈尔;G·塞德曼 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H10N97/00;H01L27/06;H01L21/822
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 用于 电感 耦合 线圈 半导体 管芯 设备
【说明书】:

公开了一种半导体管芯,包括:在半导体衬底的正面处的多个晶体管;在半导体衬底的背面处的背面电感器;以及在半导体衬底的正面处的正面电感器。正面电感器和背面电感器电感耦合。

技术领域

示例涉及具有晶体管的半导体管芯和设备。

背景技术

半导体设备具有许多应用。电源线和信号线可以耦合到半导体管芯的晶体管,并且可以形成工作设备的一部分。当形成到晶体管的电力和/或信号连接时,可能出现若干挑战。

附图说明

下面将仅通过示例的方式并且参考附图来描述装置和/或方法的一些示例,其中

图1示出了半导体管芯;

图2示出了半导体管芯;

图3示出了半导体管芯;

图4示出了电感器的配置;

图5示出了半导体管芯;

图6示出了电子设备;

图7示出了半导体管芯;

图8示出了形成半导体管芯的方法;

图9是电子设备的框图;以及

图10是计算设备的框图。

具体实施方式

现在参考附图更详细地描述一些示例。然而,其他可能的示例不限于详细描述的这些实施例的特征。其他示例可以包括特征的修改以及特征的等同方案和替代方案。此外,本文中用于描述某些示例的术语不应限制其他可能的示例。

在附图的整个描述中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的元件和/或特征,其可以是相同的或以修改的形式实施,同时提供相同或相似的功能。为了清楚起见,图中的线、层和/或区域的厚度也可能被夸大。

当使用“或”组合两个元件A和B时,这应理解为公开了所有可能的组合,即仅A、仅B、以及A和B,除非在个别情况下另外明确地定义。作为相同组合的替代措词,可以使用“A和B中的至少一个”或“A和/或B”。这同样适用于多于两个元件的组合。

如果使用诸如“一”和“所述”的单数形式,并且仅单个元件的使用未被明确地或隐含地定义为强制的,则另外的示例也可以使用若干元件来实施相同的功能。如果下面将功能描述为使用多个元件来实施,则另外的示例可以使用单个元件或单个处理实体来实施相同的功能。还应当理解,术语“包括”和/或“包含”在使用时描述了指定特征、整体、步骤、操作、过程、元件、部件和/或其群组的存在,但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、过程、元件、部件和/或其群组的存在或添加。

除非另有说明,否则使用序数形容词“第一”、“第二”和“第三”等来描述共同对象仅指示正在引用类似对象的不同实例,并且不旨在暗示如此描述的对象必须在时间上、空间上、在排序上或以任何其他方式处于给定序列中。

在本文中,词尾的“(s)”表示一个或多个;例如,“晶体管”可以是一个或多个晶体管。

在本文中,半导体衬底可以由包括例如n型或p型材料系统(或两者的组合)的材料制成。衬底可以包括例如使用体硅或绝缘体上硅(SOI)子结构形成的晶体衬底。在一些实施例中,可以使用替代材料形成衬底,所述替代材料可以与硅组合或可以不与硅组合,所述替代材料包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓。分类为II-VI族、III-V族或IV族的其他材料也可以用于形成衬底。

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