[发明专利]用于电子装置的后侧电源在审

专利信息
申请号: 202211017876.8 申请日: 2022-08-24
公开(公告)号: CN115863272A 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: W·莫尔策;K·黑罗尔德;J·辛格;P·鲍姆加特纳;M·朗根布赫;T·瓦格纳;B·魏达斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 邬少俊
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 电子 装置 电源
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

包括多个晶体管的第一半导体管芯;

包括电源电路系统的第二半导体管芯,所述电源电路系统被配置成为所述第一半导体管芯的所述多个晶体管产生供电电压;以及

散热器结构,其中

用于参考电压或电源电压的电源布线从所述散热器结构穿过所述第二半导体管芯延伸到所述第一半导体管芯。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:

所述电源布线包括在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯的界面处的多个电连接部;其中,所述界面在所述第一半导体管芯的后侧处和所述第二半导体管芯的前侧处。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:

所述第一半导体管芯的前侧被配置成连接到封装衬底或电路板。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:

所述电源布线包括在所述散热器结构处的第一部分、所述第二半导体管芯处的第二部分、以及所述第一半导体管芯处的第三部分。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中:

所述第一部分由所述散热器结构的主体的一部分形成,或者由布置于所述散热器结构上或嵌入于所述散热器结构中的导电迹线形成;其中

所述第二部分是所述第二半导体管芯的贯穿半导体过孔;并且其中

所述第三部分是所述第一半导体管芯的贯穿半导体过孔。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:

所述电源布线包括穿过所述第二半导体管芯的至少一个贯穿半导体过孔,所述至少一个贯穿半导体过孔用于向所述第一半导体管芯提供所述参考电压或电源电压。

7.根据任一前述权利要求所述的半导体装置,其中:

所述散热器结构形成腔体,其中

所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯布置于所述腔体中。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体装置,还包括:

从所述散热器结构延伸到所述第一半导体管芯的贯穿模制件过孔。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体装置,其中:

所述散热器结构电连接到封装衬底的接触界面。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体装置,还包括:

从所述散热器结构延伸到所述第一半导体管芯的贯穿模制件过孔;其中,所述贯穿模制件过孔任选地与所述第二半导体管芯横向相邻。

11.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体装置,其中:

所述电源布线电连接到所述第一半导体管芯的所述多个晶体管中的晶体管。

12.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体装置,其中:

所述电源布线被配置成向所述第一半导体管芯提供接地电压。

13.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体装置,其中:

所述第一半导体管芯是处理器管芯或存储器管芯。

14.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体装置,其中:

所述第二半导体管芯是包括电压调节器电路系统的电压调节器管芯,所述电压调节器电路系统被配置成为所述半导体管芯的所述多个晶体管产生供电电压。

15.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体装置,其中:

所述第二半导体管芯包括在所述第二半导体管芯的半导体衬底的前侧处的多个晶体管。

16.根据权利要求7所述的半导体装置,还包括:

从所述散热器结构延伸到所述第一半导体管芯的贯穿模制件过孔。

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