[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有多个依次排布的器件区；相邻两个所述器件区之间具有隔离区；

在所述隔离区的表面内形成深沟槽；

在所述器件区的表面上形成外延层，基于所述深沟槽导致的所述外延层生长速率不同，使得所述外延层位于所述器件区中间区域的部分与靠近所述深沟槽的边缘部分外延材料组分不同，且厚度不同，以形成非吸收窗口结构。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述隔离区的表面内形成深沟槽，包括：

所述第一表面具有多个平行排布的所述隔离区，在所述隔离区均形成所述深沟槽。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述深沟槽的延伸方向平行于所述半导体衬底的[110]晶向。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述外延层的方法包括：

在所述器件区的表面上形成缓冲层；

在所述缓冲层背离所述器件区的一侧形成下限制层；

在所述下限制层背离所述缓冲层的一侧形成下波导层；

在所述下波导层背离所述下限制层的一侧形成量子阱有源层；

在所述量子阱有源层背离所述下波导层的一侧形成上波导层；

在所述上波导层背离所述量子阱有源层的一侧形成上限制层；

在所述上限制层背离所述上波导层的一侧形成势垒渐变层；

在所述势垒渐变层背离所述上限制层的一侧形成欧姆接触层。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述深沟槽的深度不小于所述外延层的厚度。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述深沟槽的深度为缓冲层到量子阱有源层厚度之和的2-3倍。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一方向上，所述器件区表面上的外延层包括：中间部分以及位于所述中间部分两侧的边缘部分；

其中，所述第一方向平行于所述第一表面，且垂直于所述深沟槽的形成方向；所述边缘部分的厚度小于所述中间部分的厚度，所述边缘部分为所述非吸收窗口结构。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

图形化所述外延层，形成脊波导结构；

在所述脊波导结构背离所述外延层的一侧形成第一电极；

在所述半导体衬底的第二表面形成第二电极。

9.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；

所述第一表面具有多个依次排布的器件区；相邻两个所述器件区之间具有隔离区；

位于所述隔离区表面内的深沟槽；

位于所述器件区表面上的外延层，基于所述深沟槽导致的外延生长速率不同，使得所述外延层位于所述器件区中间区域的部分与靠近所述沟槽的边缘部分外延材料组分不同，且厚度不同，以形成非吸收窗口结构。

10.根据权利要求9所述的半导体激光器，其特征在于，在第一方向上，位于所述器件区表面上的外延层包括：中间部分以及位于所述中间部分两侧的边缘部分；

其中，所述第一方向平行于所述第一表面，且垂直于所述深沟槽的形成方向；所述边缘部分的厚度小于所述中间部分的厚度，所述边缘部分为所述非吸收窗口结构。