[发明专利]开关管寿命诊断方法、装置、设备、介质和程序产品

说明书

本申请涉及一种开关管寿命诊断方法、装置、设备、介质和程序产品，所述方法包括：获取目标开关管的初始驱动阈值电压；根据所述初始驱动阈值电压确定所述目标开关管的失效驱动阈值电压；向所述目标开关管施加所述失效驱动阈值电压，根据所述目标开关管的导通状态是否符合预设条件确定所述目标开关管是否处于即将失效的状态。采用本方法可以实现在开关管的工作中实时诊断开关管的寿命，避免了复杂环境对测量开关管寿命造成的干扰，进而提高了开关管寿命诊断的准确度。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种开关管寿命诊断方法、装置、设备、介质和程序产品。

背景技术

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)是电子开关的核心器件，广泛应用于电力电子设备中，因其工作时间长，工作环境复杂，极容易老化损坏，而失效的MOSFET会引发事故并造成高额的维修成本，因此，对于MOSFET寿命的预测非常重要。

目前，常规的预测MOSFET寿命的方法是对MOSFET样品提供一定的应力环境，检测其阈值电压、饱和漏级电压等参数变化规律，得到相应的寿命预测模型，通过该预测模型对MOSFET进行寿命预测。

然而，MOSFET的实际工作环境复杂多变，寿命预测模型并不能完全准确还原MOSFET的实际工作环境，因此，通过寿命预测模型来预测MOSFET寿命的准确度较低。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够适用于不同环境下准确测量开关管寿命的开关管寿命诊断方法、装置、设备、介质和程序产品。

第一方面，本申请提供了一种开关管寿命诊断方法，该方法包括：

获取目标开关管的初始驱动阈值电压；根据初始驱动阈值电压确定目标开关管的失效驱动阈值电压；向目标开关管施加失效驱动阈值电压，根据目标开关管的导通状态是否符合预设条件确定目标开关管是否处于即将失效的状态。

在其中一个实施例中，获取目标开关管的初始驱动阈值电压，包括：获取目标开关管的最大设计驱动阈值电压以及最小设计驱动阈值电压；在最大设计驱动阈值电压以及最小设计驱动阈值电压之间的电压范围内，逐步调整向目标开关管输出的驱动阈值电压，直至目标开关管的导通状态符合预设条件为止；将导通状态符合预设条件时向目标开关管输出的驱动阈值电压，作为初始驱动阈值电压。

在其中一个实施例中，该方法还包括：根据通过目标开关管的电流值是否大于电流阈值确定预设条件，电流阈值是根据目标开关管所在电路中的电路元件确定的。

在其中一个实施例中，目标开关管所在电路包括与目标开关管串接的电感，电流阈值根据施加于电感上的电压、施加于目标开关管的驱动阈值电压的脉宽和电感的电感值计算得到。

在其中一个实施例中，该方法还包括：若目标开关管的导通状态为通过目标开关管的电流值大于或等于电流阈值，则确定目标开关管的导通状态符合预设条件；若目标开关管的导通状态为通过目标开关管的电流值小于电流阈值，则确定目标开关管的导通状态不符合预设条件。

在其中一个实施例中，该方法还包括：在确定目标开关管处于即将失效的状态后，输出预警信号。

在其中一个实施例中，根据初始驱动阈值电压确定目标开关管的失效驱动阈值电压，包括：获取灵敏度；根据初始驱动阈值电压和灵敏度确定目标开关管的失效驱动阈值电压。

在其中一个实施例中，向目标开关管施加失效驱动阈值电压，包括：在每次驱动目标开关管导通之前，执行向目标开关管施加失效驱动阈值电压的步骤。

第二方面，本申请还提供了一种开关管寿命诊断装置，该装置包括：