[发明专利]电荷泵电路、芯片及电子设备有效

专利信息
申请号: 202211021916.6 申请日: 2022-08-24
公开(公告)号: CN115224932B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 潘杰;原义栋;沈红伟;温立国 申请(专利权)人: 北京智芯微电子科技有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H02M1/36
代理公司: 北京智信四方知识产权代理有限公司 11519 代理人: 彭杰
地址: 100192 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电荷 电路 芯片 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电荷泵电路,其特征在于,包括:至少两级电荷泵单元和辅助级单元;

在所述至少两级电荷泵单元中,第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端连接,第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端连接,i≥1;

所述辅助级单元,与所述至少两级电荷泵单元的最后一级电荷泵单元的输出端连接,用于为所述最后一级电荷泵单元提供偏置电压;

第一级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的体端和所述第一级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的体端用于接收驱动时钟信号,所述至少两级电荷泵单元中除第一级电荷泵单元之外的目标级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的体端与所述目标级电荷泵单元的上一级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端以及所述上一级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端连接,所述目标级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的体端与所述上一级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端以及所述上一级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端连接;

其中,所述第一级电荷泵单元中每个N型场效应晶体管的源端与所述电荷泵电路的输入端连接,所述第i级电荷泵单元的输出端与所述第i+1级电荷泵单元的输入端相连接,所述电荷泵电路的输出端与所述最后一级电荷泵单元的输出端连接。

2.根据权利要求1中任一项所述的电路,其特征在于,每级电荷泵单元包括第一N型场效应晶体管、第一P型场效应晶体管、第二N型场效应晶体管和第二P型场效应晶体管;

所述第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的栅端和所述第i级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的栅端连接、且与所述第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端以及所述第i级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端连接,所述第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端和所述第i级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端连接、且与所述第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的栅端以及所述第i级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的栅端连接;

其中,所述第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的源端和所述第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的源端连接,所述第i级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的源端和所述第i级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的源端连接。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第i级电荷泵单元还包括第一电容和第二电容;

其中,所述第一电容的一端用于接收第一驱动时钟信号、且所述第一电容的另一端连接所述第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端和所述第i级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端,所述第二电容的一端用于接收第二驱动时钟信号、且所述第二电容的另一端连接所述第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端和所述第i级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端,所述第一驱动时钟信号和所述第二驱动时钟信号为互补驱动时钟信号。

4.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述第i级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的源端和所述第i级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的源端连接、且与所述第i+1级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的源端以及所述第i+1级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的源端连接。

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