[发明专利]一种高透光高击穿电压背板及其制备方法

权利要求书

1.一种高透光高击穿电压背板的制备方法，其特征在于，所述背板依次包括：

增透层A，苯乙烯-丙烯酸聚二甲基硅氧烷酯共聚物多孔层；

增透层B，包括纳米多孔二氧化硅及PET，厚度为20-50μm；

PET改性层，1-3wt%蒙脱土，97-99wt% PET，厚度为150-300μm；

所述纳米多孔二氧化硅通过如下方法制备：

步骤一：配置浓度为0.2-0.3mol/L的水玻璃溶液；将所述溶液通入反应器，搅拌，保持反应器温度50-60℃；

步骤二：将加压CO₂气体以0.2L/min的速度从反应器底部通入；在pH值为7.8-8.1时，停止通入加压CO₂气体；保温80-85℃陈化2-5h；离心，洗涤，得到中间体；

步骤三：将中间体加入球磨机，以去离子水为分散剂，球磨5-8h；

步骤四：将经球磨后的中间体以去离子水稀释，经高剪切分散机分散得到悬浮液；所述悬浮液利用喷雾干燥装置进行喷雾干燥，得到纳米多孔二氧化硅；

所述纳米多孔二氧化硅经表面改性处理，包括如下步骤：

步骤一：将硅烷偶联剂加入乙醇的水溶液中，调节pH值为4-5，得到硅烷偶联剂水解溶液；

步骤二：将纳米多孔二氧化硅加入所述硅烷偶联剂水解溶液，制得粘稠液状物；

步骤三：对所述粘稠液状物进行微波辐射，搅拌反应至反应物干燥，用万能粉碎机粉碎；

所述蒙脱土为粒径1-4μm的小粒径蒙脱土、粒径8-12μm的中粒径蒙脱土和粒径为15-20μm的大粒径蒙脱土复配而成；以重量百分比计，所述小粒径蒙脱土、中粒径蒙脱土、大粒径蒙脱土的重量比为（1-3）：（70-80）：（17-29）；

所述蒙脱土经改性处理，包括以下步骤：

步骤一：将蒙脱土和有机阳离子插层剂加入乙醇水溶液中，得到浓度为2-8wt%的蒙脱土悬浊液，加热至75-85℃，搅拌30-60min；

步骤二：抽滤分离，充分洗涤，真空干燥；

所述背板的制备方法包括如下步骤：

S1：增透层B和PET改性层通过挤出机熔融共挤出成型；

S2：将苯乙烯-丙烯酸聚二甲基硅氧烷酯共聚物与甲苯均匀混合，制得浓度为1/30-1/50 g/mL的溶液，将所述溶液涂覆于所述增透层B的外侧，烘干固化得到增透层A。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机阳离子插层剂选自十八烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基氯化铵、十二烷基三甲基氯化铵、双羟乙基十二烷基三甲基氯化铵中至少一种，且所述有机阳离子插层剂与蒙脱土的重量比为（3-6）:10。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述增透层B通过如下方法制备：

步骤一：以重量百分比计，将纳米多孔二氧化硅 8-10%、对苯二甲酸38-42％、乙二醇50-54％、催化剂0.05-1％加入反应罐，氮气保护下，搅拌1-2h；

步骤二：以速度10±2℃/min升温至180±5℃，继续搅拌，保温30-60min。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在增透层A的外侧还包括透明氟碳耐候层，所述透明氟碳耐候层包含氟碳树脂、丙烯酸树脂和耐老化助剂，所述耐候层的厚度为1-20μm。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述透明氟碳耐候层通过如下方法形成：

步骤一：将氟碳树脂、丙烯酸树脂、耐老化助剂和溶剂搅拌混匀，静置消泡；

步骤二：向步骤一的混合液中加入固化剂、溶剂，配置成固含量为25-35wt%的透明涂覆液；

步骤三：将所述涂覆液均匀涂覆在所述增透层A的外侧，放入烘箱中，在140-180℃的温度下固化干燥。

6.一种通过权利要求1-5任一项所述制备方法得到的高透光高击穿电压背板。