[发明专利]一种晶圆后处理装置

说明书

本发明公开了一种晶圆后处理装置，其包括：槽体，其内部设置有晶圆后处理模块；顶盖，其设置于槽体的顶部并配置有开口，以经由所述开口取放晶圆；门体，其设置于所述顶盖上方，以打开或关闭所述开口；顶部导流结构，其设置于所述顶盖和门体的上方，以引导滴落至顶盖和门体的液体，远离槽体中放置晶圆的位置。本发明公开的晶圆后处理装置，其结构合理，配置的顶部导流结构能够将滴落在门体、顶盖的液体远离槽体内放置晶圆的位置引导，降低或避免含有颗粒物的液体对晶圆后处理效果的影响。

技术领域

本发明属于晶圆后处理技术领域，具体而言，涉及一种晶圆后处理装置。

背景技术

集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及集成电路设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光属于晶圆制造工序中的五大核心制程之一。化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。

化学机械抛光后，需要对晶圆进行清洗、干燥等后处理。晶圆后处理的目的是为了避免微量离子和金属颗粒等颗粒物对半导体器件的污染，保障半导体器件的性能和成品率。

晶圆后处理通常在相对密闭的槽体中进行，以控制后处理过程中流体的溅射，并防止外部的颗粒物进入槽体而影响晶圆后处理效果。图1是现有技术中晶圆后处理装置100’的示意图，其包括槽体，槽体的顶部配置有顶盖，顶盖配置有取放晶圆的开口；而控制顶盖开口打开及关闭的开关门为水平移动式结构；在气缸的带动下，开关门水平移动以实现开口的打开及关闭。

为实现开关门的顺畅平移，开关门与顶盖之间必然设置一定间隙。换言之，在开关门处于闭合状态时，开关门与顶盖之间存在一定缝隙。即现有的槽体不能实现完全密封，无法避免含有颗粒物的气体或液体进入槽体而污染后处理的晶圆。

更为重要的是，当开关门处理打开状态时，机械手通过顶盖的开口将晶圆移动至开关门上方。在重力作用下，机械手和/或晶圆上的液滴可能滴落至开关门的棱边或侧面。开关门的棱边及侧面的液滴可能滴落至晶圆表面，进而影响晶圆的后处理效果。

发明内容

本发明实施例提供了一种晶圆后处理装置，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本发明的实施例提供了一种晶圆后处理装置，包括：

槽体，其内部设置有晶圆后处理模块；

顶盖，其设置于槽体的顶部并配置有开口，以经由所述开口取放晶圆；

门体，其设置于所述顶盖上方，以打开或关闭所述开口；

顶部导流结构，其设置于所述顶盖和门体的上方，以引导滴落至顶盖和门体的液体，远离槽体中放置晶圆的位置。

在一些实施例中，所述顶部导流结构包括引流部，所述引流部为板状结构，其至少部分罩设于所述门体的上方。

在一些实施例中，所述引流部至少设置于所述门体长度方向的中间位置，所述引流部的上表面为倾斜面；所述倾斜面的倾斜方向垂直于所述门体的长度方向。

在一些实施例中，所述引流部可拆卸地连接于所述门体的上方，所述引流部的倾斜面自顶盖的开口至顶盖的边缘、向下延伸设置。

在一些实施例中，所述顶部导流结构还包括导流部，其设置于所述顶盖的上表面，以朝向顶盖的边缘引导液体。

在一些实施例中，所述导流部的设置位置与所述引流部的设置位置相匹配。

在一些实施例中，所述导流部的底部配置有横纵交错的导流微型凹槽，以将液体朝向顶盖的边缘引导。