[发明专利]一种SiGe沟道的形成方法

权利要求书

1.一种SiGe沟道的形成方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供FDSOI结构，所述FDSOI结构包括硅衬底、位于所述硅衬底上的第一氧化硅层、位于所述第一氧化硅层上的硅层；所述硅层上覆盖有硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成贯通其上下表面的凹槽区域，所述凹槽区域将所述硅层的上表面暴露；

步骤二、在所述凹槽区域填充SiGe，形成SiGe薄膜；所述SiGe薄膜上表面由于自然氧化形成有自然氧化层；

步骤三、将所述FDSOI结构置于反应腔中进行氢气氛围的第一预处理以去除所述自然氧化层；所述第一预处理的方式为：在氢气氛围中对所述SiGe薄膜上表面进行烘烤；所述第一预处理的工艺条件包括：氢气流量为5L/min；烘烤温度为450～500℃；

步骤四、将所述FDSOI结构置于反应腔中进行氨气氛围的第二预处理以去除所述自然氧化层，所述第二预处理的方式为：在氨气氛围中对所述SiGe薄膜上表面进行热处理；所述第二预处理的工艺条件包括：氨气流量为8～12L/min；所述热处理的温度为750～850℃；

步骤五、所述SiGe薄膜上表面的所述自然氧化层完全去除后，对所述SiGe薄膜上表面进行氧化，形成致密氧化层。

2.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤二通过外延生长的方式在所述凹槽区域填充SiGe。

3.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤三中所述第一预处理完成后，通过所述反应腔的抽油阀去除反应生成的水蒸气。

4.根据权利要求4所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤三中在去除反应生成的水蒸气后，对所述反应腔进行减压处理，以去除反应副产物。

5.根据权利要求3所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤三中的所述第一预处理过程中，反应腔中的压力为10托。

6.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤四中的所述第二预处理过程中，反应腔中的压力为10托。

7.根据权利要求1所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤五中将所述FDSOI结构置于反应腔中进行氧气氛围，对所述SiGe薄膜上表面进行氧化。

8.根据权利要求7所述的SiGe沟道的形成方法，其特征在于：步骤五中所述反应腔中氧气的流向为10～100ml/min，反应腔内的温度为700～1100℃，所述反应腔的压力为3～20托。