[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

存储单元阵列，包括具有或非型或与非型快闪存储器结构的第一存储单元阵列、及具有电阻变化型存储器结构的第二存储单元阵列；

控制部件，控制所述第一存储单元阵列或所述第二存储单元阵列中被选择的存储单元的读写；以及

第一检测部件，检测电源电压已下降至断电电平，

当在向所述第一存储单元阵列的写入动作过程中由所述第一检测部件检测到断电电平时，所述控制部件将至少未完成向所述第一存储单元阵列的写入的未写入数据写入所述第二存储单元阵列中。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还包括第二检测部件，所述第二检测部件检测电源电压已达到通电电平，

当由所述第二检测部件检测到通电电平时，所述控制部件从所述第二存储单元阵列读取所述未写入数据，并将所读取的所述未写入数据写入所述第一存储单元阵列中。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，所述控制部件进而将用于进行向所述第一存储单元阵列的写入的地址与未写入数据一起写入所述第二存储单元阵列中，

所述控制部件按照从所述第二存储单元阵列读取的地址，将未写入数据写入所述第一存储单元阵列中。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中，所述控制部件进而将用于进行向所述第一存储单元阵列的写入的命令与未写入数据一起写入所述第二存储单元阵列中，

所述控制部件按照从所述第二存储单元阵列读取的命令，将未写入数据写入所述第一存储单元阵列中。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，还包括数据保持部件，所述数据保持部件保持从外部输入的数据，

所述控制部件将保持于所述数据保持部件中的数据写入所述第一存储单元阵列中，当检测到所述断电电平时，将保持于所述数据保持部件中的未写入数据写入所述第二存储单元阵列中。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述数据保持部件保持从外部输入的页数据，所述控制部件基于从外部输入的页写入命令，向所述第一存储单元阵列中被选择的行写入所述数据保持部件所保持的页数据，进而，所述控制部件将从所述第二存储单元阵列读取的未写入数据写入所述被选择的行中。

7.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，所述数据保持部件保持从外部输入的字节数据，所述控制部件基于从外部输入的字节写入命令，向所述第一存储单元阵列中被选择的行写入所述数据保持部件所保持的字节数据，进而，所述控制部件将从所述第二存储单元阵列读取的未写入数据写入所述被选择的行中。

8.根据权利要求5所述的半导体存储装置，还包括数据选择部件，所述数据选择部件选择所述数据保持部件所保持的数据，

所述控制部件将由所述数据选择部件选择的数据写入所述第一存储单元阵列中被选择的存储单元中，将未由所述数据选择部件选择的数据写入所述第二存储单元阵列中。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述控制部件使用断电电平与成为所述第二存储单元阵列的写入极限的最小电压之间的电压，向所述第二存储单元阵列写入未写入数据。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述存储单元阵列包括所述第一存储单元阵列与所述第二存储单元阵列所共用的位线、及连接于所述第一存储单元阵列与所述第二存储单元阵列之间，且将所述位线选择性地连接或非连接于所述第二存储单元阵列的进入栅。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其中，所述第二存储单元阵列包含一页，所述第二存储单元阵列配置于用于选择所述位线的位线选择电路的下方。