[发明专利]TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法

权利要求书

1.一种TCO设备智能化调控异质结电池方阻和膜厚的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，将透明导电薄膜沉积设备制备出的含透明导电薄膜的待检测硅片放置于载板上并运送至检测平台；

S2，检测平台检测待检测硅片的方阻和透明导电薄膜的膜厚，并将检测结果发送至透明导电薄膜沉积设备的控制端；

S3，控制端根据检测结果判断透明导电薄膜沉积设备当前制备的电池的方阻和/或透明导电薄膜的膜厚是否超过它们各自对应的质量过程控制范围；

S4，如果控制端确定当前制备的电池的方阻和/或透明导电薄膜的膜厚超过它们各自对应的质量过程控制范围，则修正透明导电薄膜沉积设备的氧气流量来调整沉积后续电池的方阻，和/或修正透明导电薄膜沉积设备的输出功率来调整沉积后续透明导电薄膜的膜厚；

S5，控制端将修正后的氧气流量和/或输出功率发送至透明导电薄膜沉积设备；

S6，透明导电薄膜沉积设备根据修正后的氧气流量和/或修正后的输出功率沉积后续运输过来的硅片的透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S4中修正透明导电薄膜沉积设备的氧气流量来调整沉积后续电池的方阻，包括如下步骤：

S4-1，根据上阴极实际方阻和上阴极目标方阻之间的差值修正透明导电薄膜沉积设备上阴极的氧气流量来调整沉积后续电池片的上阴极方阻；

S4-2，根据下阴极实际方阻和下阴极目标方阻之间的差值修正透明导电薄膜沉积设备下阴极的氧气流量来调整沉积后续电池片的下阴极方阻。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S4中修正透明导电薄膜沉积设备的输出功率来调整沉积后续透明导电薄膜的膜厚，包括如下步骤：

S4.1，根据上阴极实际膜厚和上阴极目标膜厚之间的差值修正透明导电薄膜沉积设备上阴极的输出功率来调整沉积后续透明导电薄膜的上阴极膜厚；

S4.2，根据下阴极实际膜厚和下阴极目标膜厚之间的差值修正透明导电薄膜沉积设备下阴极的输出功率来调整沉积后续透明导电薄膜的下阴极膜厚。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述S4-1在根据上阴极实际方阻和上阴极目标方阻之间的差值修正透明导电薄膜沉积设备上阴极的氧气流量时，设定上阴极目标方阻的阻值为X₁，上阴极实际方阻的阻值为X₂，则上阴极实际方阻和上阴极目标方阻之间的差值为ΔX＝X₂-X₁，设定上阴极的氧气流量为O_2-up，则在修正上阴极的氧气流量时，包括如下几种情况：

A、当-5≤ΔX≤5时，上阴极的氧气流量O_2-up不变；

B、当-20≤ΔX＜-5或5＜ΔX≤20时，根据公式ΔO_2-up＝±(0.1～0.3)×﹝ΔX/5﹞来调节氧气流量的大小；其中，﹝ΔX/5﹞表示ΔX/5的正整数部分；当ΔX﹤0，±(0.1～0.3)取﹢号，表示需要增加上阴极的氧气流量；当ΔX﹥0，±(0.1～0.3)取﹣号，表示需要减少上阴极的氧气流量；

C、当ΔX﹤-20或者ΔX﹥20时，控制端确定误差超出范围，进行报警提示。