[发明专利]一种实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器在审
申请号: | 202211028285.0 | 申请日: | 2022-08-25 |
公开(公告)号: | CN115714249A | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 彭浩;杨洋;刘宇;周翼鸿;董俊;杨涛 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 陶瓷 基板上 步进 无源 衰减器 | ||
1.一种实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器,其特征在于,包括:陶瓷基板(5)、陶瓷基板(5)上的传输线本体(1)、焊盘(2)、薄膜电阻(3)、λg'/4扇形短路线(4);λg'为扇形结构中的波长,其中,在陶瓷基板平面上沿传输线长边的方向为x方向,沿传输线宽边的方向为y方向;
传输线本体(1)沿x方向设置于陶瓷基板(5)平面中心,多个λg'/4扇形短路线(4)沿x方向在传输线本体(1)的上下两侧交替等距分布,相邻λg'/4扇形短路线(4)沿x方向的间距为Lλg/4,其中λg为50欧传输线中的波长;
λg'/4扇形短路线(4)和传输线本体(1)之间沿y方向设置薄膜电阻(3)和焊盘(2),薄膜电阻(3)和传输线本体(1)边缘之间为焊盘(2);焊盘(2)和传输线本体(1)边缘连接,薄膜电阻(3)两端分别连接焊盘(2)和λg'/4扇形短路线(4);
衰减器的总衰减量=∑单个薄膜电阻阻值衰减量*该薄膜电阻数量。
2.根据权利要求1所述的实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器,其特征在于:
传输线本体(1)用于传输信号;焊盘(2)用于充当薄膜电阻(3)与传输线本体之间的过渡结构;薄膜电阻(3)用于对传输线信号衰减;λg'/4扇形短路线(4)用于接地。
3.根据权利要求1所述的实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器,其特征在于:为了在衰减器中对信号进行衰减,在传输导线与地之间增加电阻通路,在可接受的范围内以牺牲匹配度为代价对信号进行一定程度的衰减,为了电阻接地在传输线外额外增加焊盘(2),在微波毫米波频段,为了避免接地金属孔带来的电感效应,引入λg'/4扇形开路结构,以形成虚拟接地端。
4.根据权利要求1所述的实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器,其特征在于:传输线本体(1)为50Ω传输线本体。
5.根据权利要求1所述的实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器,其特征在于:焊盘和传输线本体(1)通过金丝跳线连接,薄膜电阻两端分别直接连接焊盘(2)和λg'/4扇形短路线(4)。
6.根据权利要求1所述的实现在陶瓷基板上的步进式无源衰减器,其特征在于:传输线本体(1)的线宽为W1,根据陶瓷基板上50Ω传输线的宽度确定;相邻λg'/4扇形短路线沿x方向的间距为Lλg/4;金属焊盘y方向距中间导带距离为W2,方形焊盘边长为W3,W2、W3根据仿真优化给定;处于传输线本体(1)中心点处的焊盘和扇形短路线之间在y方向的距离为2*W4,其余位置上的焊盘和扇形短路线之间在y方向的距离为W4,扇形短路线半径为Lλg'/4,扇形角度为Φ,薄膜电阻(3)长为L4,宽为W4,处于传输线本体(1)中心点处的薄膜电阻(3)宽为2*W4;其中W2、W3、W4、L4、Lλg'/4、Lλg/4根据仿真优化给定;
为了达成0.5db的衰减步进,处于传输线本体(1)中心点处的薄膜电阻(3)阻值取400欧姆,其他位置的薄膜电阻(3)电阻值为200欧姆,薄膜电阻(3)为50Ω/方阻,所以有W4/L4=4。
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