[发明专利]蚀刻速率测试方法

权利要求书

1.一种蚀刻速率测试方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成待测膜层，所述待测膜层包括依次层叠设置于所述半导体衬底上的第一膜层和第二膜层，所述第一膜层具有第一厚度，所述第二膜层具有第二厚度，所述第一膜层为透明或半透明膜层；

采用目标蚀刻液对所述待测膜层进行蚀刻，并采用光谱式椭偏仪对所述待测膜层的厚度进行测试，得到所述待测膜层的当前拟合程度值；

确定所述当前拟合程度值是否大于预设值，所述预设值大于或等于0.93；

若否，则返回执行采用目标蚀刻液对所述待测膜层进行蚀刻的步骤，直至所述当前拟合程度值大于所述预设值为止；

若是，则获取所述待测膜层的当前厚度，并基于所述第一厚度、所述第二厚度和所述当前厚度获取所述目标蚀刻液蚀刻所述第二膜层的第一蚀刻速率。

2.如权利要求1所述的蚀刻速率测试方法，其特征在于，所述基于所述第一厚度、所述第二厚度和所述当前厚度获取所述目标蚀刻液蚀刻所述第二膜层的第一蚀刻速率，包括：

获取预先得到的所述目标蚀刻液蚀刻所述第一膜层的第二蚀刻速率；

根据所述第一厚度、所述当前厚度和所述第二蚀刻速率获取蚀刻所述第一膜层的第一时间；

基于所述第一时间和所述第二厚度获取所述目标蚀刻液蚀刻所述第二膜层的第一蚀刻速率。

3.如权利要求2所述的蚀刻速率测试方法，其特征在于，所述基于所述第一时间和所述第二厚度获取所述目标蚀刻液蚀刻所述第二膜层的第一蚀刻速率，包括：

获取从开始采用目标蚀刻液对所述待测膜层进行蚀刻，直至所述待测膜层的当前拟合程度值大于预设值时的第二时间；

根据所述第一时间、所述第二时间和所述第二厚度获取所述目标蚀刻液蚀刻所述第二膜层的第一蚀刻速率。

4.如权利要求1所述的蚀刻速率测试方法，其特征在于，所述第一膜层的材质包括正硅酸乙酯、碳掺杂的氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、热氧化物、等离子体增强氧化物或氮化物掺杂碳化硅。

5.如权利要求1所述的蚀刻速率测试方法，其特征在于，所述第二膜层为不透明膜层。

6.如权利要求1所述的蚀刻速率测试方法，其特征在于，所述第二膜层的材质包括铝、铜、钨、钽、银、钛、氮化钛或氮化钽。

7.如权利要求 1-6 任一项所述的蚀刻速率测试方法，其特征在于，所述目标蚀刻液为氢氟酸和硝酸的混合溶液。