[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202211029354.X | 申请日： | 2022-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN115394638A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 付志强;施剑华 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 刘婧 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成第一氧化层；
对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层；
在所述掺杂氧化层和所述半导体衬底之间形成第二氧化层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述提供一半导体衬底之后，所述在所述半导体衬底上形成第一氧化层之前，还包括：
采用湿法清洗工艺对所述半导体衬底进行清洗。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层，包括：
向炉管通入具有目标元素的掺杂气体，并通过掺杂氧化工艺对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掺杂气体包括氮氧化物。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掺杂气体包括N2O和/或NO。
6.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掺杂氧化工艺的时长为0.1min～100min。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为
8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底的材料为硅。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1至9中任一项所述半导体器件的制造方法制成，所述半导体器件包括：
半导体衬底；
栅氧化层，所述栅氧化层设置于所述半导体衬底上，所述栅氧化层包括第一氧化层、掺杂氧化层和第二氧化层，所述掺杂氧化层位于所述第一氧化层和所述第二氧化层之间，所述第二氧化层位于靠近所述半导体衬底的一侧，所述掺杂氧化层中掺杂有目标元素。
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