[发明专利]功率转换器模块

权利要求书

1.一种功率转换器模块，包括：

功率晶体管；

衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中热焊盘位于所述衬底的所述第二表面上，并且所述热焊盘被配置为热耦合到散热器；

控制模块，其被安装在所述衬底的所述第一表面上，所述控制模块包括：

互连件，其被配置为提供到系统总线的连接；以及

控制IC芯片，其耦合到所述功率晶体管，其中所述控制IC芯片的第一控制IC芯片控制所述功率转换器模块的第一开关电平，并且所述控制IC芯片的第二控制IC芯片控制所述功率转换器的第二开关电平模块；以及

屏蔽面，其覆盖所述衬底的所述第一表面，所述屏蔽面提供位于所述热焊盘和所述IC芯片的所述第一控制IC芯片之间的第一屏蔽面以及位于所述热焊盘和所述控制IC芯片的第二控制IC芯片之间的所述屏蔽面的第二屏蔽面。

2.根据权利要求1所述的功率转换器模块，其中所述控制模块包括迹线，并且所述第一屏蔽面和所述第二屏蔽面中的一个位于所述迹线下方。

3.根据权利要求2所述的功率转换器模块，其中所述控制模块还包括焊线，所述焊线耦合到所述控制IC芯片的所述第一控制IC芯片并且耦合到所述迹线。

4.根据权利要求2所述的功率转换器模块，其中所述控制模块还包括层压衬底，所述层压衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中图案化的接地面位于所述层压衬底的所述第一表面上，并且所述控制IC芯片被安装在所述图案化的接地面上。

5.根据权利要求4所述的功率转换器模块，其中所述层压衬底的所述第二表面覆盖所述衬底的所述第一表面。

6.根据权利要求5所述的功率转换器模块，其中所述屏蔽面位于所述层压衬底的所述第二表面上。

7.根据权利要求6所述的功率转换器模块，其中所述层压衬底还包括将所述图案化的接地面耦合到所述屏蔽面的通孔。

8.根据权利要求1所述的功率转换器模块，还包括图案化的直接键合铜层即DBC层，其被图案化以提供所述屏蔽面。

9.根据权利要求8所述的功率转换器模块，其中所述互连件被安装在所述图案化的DBC层上，并且所述互连件包括用于安装所述控制模块的所述控制IC芯片的焊盘。

10.根据权利要求9所述的功率转换器模块，其中所述互连件包括迹线，并且所述第一屏蔽面和所述第二屏蔽面中的一个位于所述迹线下方。

11.根据权利要求1所述的功率转换器模块，其中所述屏蔽面阻挡通过所述散热器发出的电磁干扰。

12.根据权利要求1所述的功率转换器模块，其中所述功率晶体管是氮化镓场效应晶体管即GaN FET或碳化硅FET即SiC FET。

13.根据权利要求1所述的功率转换器模块，其中所述衬底包括陶瓷芯。

14.根据权利要求1所述的功率转换器模块，其中所述功率转换器模块是直流DC至交流AC功率转换器模块或DC至DC功率转换器。

15.根据权利要求1所述的功率转换器模块，其中所述功率转换器模块的引脚具有在大约0.02皮法pF和大约38pF之间的寄生电容。