[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

若干色彩种类的彩色像素单元，其中每个所述彩色像素单元包括：

衬底，所述衬底包括像素区和逻辑区，所述像素区和所述逻辑区相邻；

位于所述像素区内的第一光电掺杂区，所述衬底表面暴露出所述第一光电掺杂区表面，所述第一光电掺杂区内具有第一离子；

位于所述像素区上的屏蔽栅极结构；

位于所述衬底上的介质层，所述介质层覆盖所述屏蔽栅极结构；

位于所述介质层内的电容结构，所述电容结构与所述第一光电掺杂区电连接，不同色彩种类的所述彩色像素单元中的所述电容结构的容值不同。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，若干色彩种类的彩色像素单元包括：红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述红色像素单元中的所述电容结构的容值大于所述绿色像素单元中的所述电容结构的容值；所述绿色像素单元中的所述电容结构的容值大于所述蓝色像素单元中的所述电容结构的容值。

4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述红色像素单元中的所述电容结构的容值为3飞法～10000飞法；所述绿色像素单元中的所述电容结构的容值为2飞法～8000飞法；所述蓝色像素单元中的所述电容结构的容值为1飞法～6000飞法。

5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，每个所述彩色像素单元还包括：位于所述第一光电掺杂区表面的屏蔽层，所述屏蔽层内的掺杂离子导电类型与第一离子的导电类型相反；所述屏蔽栅极结构位于所述屏蔽层上。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底的第一面暴露出所述第一光电掺杂区表面；所述屏蔽栅极结构位于所述第一光电掺杂区上。

7.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，每个所述彩色像素单元还包括：位于所述逻辑区上的传输栅极结构和复位栅极结构。

8.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述传输栅极结构环绕所述复位栅极结构。

9.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，每个所述彩色像素单元还包括：位于所述第一光电掺杂区内的第二光电掺杂区，所述第二光电掺杂区具有第二离子，所述第二离子导电类型与第一离子的导电类型相同，且所述第二离子的浓度大于所述第一离子的浓度。

10.如权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述传输栅极结构与第二光电掺杂区相邻。

11.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，每个所述彩色像素单元还包括：位于所述复位栅极结构两侧的所述逻辑区内的浮置掺杂区和漏区，所述浮置掺杂区位于传输栅极结构和所述复位栅极结构之间。

12.如权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，每个所述彩色像素单元还包括：位于所述逻辑区内和部分所述像素区内的第一隔离掺杂区，所述第一隔离掺杂区的掺杂离子导电类型与所述第一离子的导电类型相反；所述浮置掺杂区、漏区以及部分第二光电掺杂区位于所述第一隔离掺杂区内。

13.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述屏蔽栅极结构环绕所述逻辑区。

14.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底还包括：位于相邻所述像素区之间的第二隔离掺杂区，所述第二隔离掺杂区内的掺杂离子导电类型与第一离子的导电类型相反，所述第二隔离掺杂区与所述第一光电掺杂区相邻；位于所述第二隔离掺杂区内的隔离结构。