[发明专利]场板型半导体器件的电容拟合方法

权利要求书

1.一种场板型半导体器件的电容拟合方法，其特征在于，所述电容拟合方法包括：

S1、基于第一函数Q(x)和第二函数Q′(x)对无场板作用下和有场板作用下的电荷量进行拟合；

S2、基于第一函数Q(x)和/或第二函数Q′(x)对电容Cgd、Cgs、Cds对应的电荷量Qgd、Qgs、Qds进行拟合；

S3、对电荷量Qgd、Qgs、Qds分别进行微分，得到电容Cgd、Cgs、Cds；

S4、根据电容Cgd、Cgs、Cds得到输入电容Ciss、输出电容Coss及反馈电容Coss。

2.根据权利要求1所述的场板型半导体器件的电容拟合方法，其特征在于，所述步骤S1中，第一函数Q(x)为以幂函数为基础的复合函数，第二函数Q′(x)为以双曲正切函数为基础的复合函数。

3.根据权利要求1所述的场板型半导体器件的电容拟合方法，其特征在于，所述步骤S1中，第一函数Q(x)和第二函数Q′(x)的表达式为：

Q(x)＝(1e-12)*x*[A+B/(C+|(x/D)|^E)]；

Q′(x)＝(1e-10)*[F*tanh(G*(x+H))]；

其中，A～H为不同的参数，变量x为漏源电压Vds。

4.根据权利要求3所述的场板型半导体器件的电容拟合方法，其特征在于，所述步骤S2中，电荷量Qgd、Qgs、Qds为1个第一函数Q(x)与n个不同Vds范围内的第二函数Q′(x)之和，其中，n≥0，即：

Qgd/Qgs/Qds＝Q(x)+Q′(x₁)+…+Q′(x_n)。

5.根据权利要求4所述的场板型半导体器件的电容拟合方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

根据场板型半导体器件在不同Vds下电容Cgd、Cgs、Cds的测量值确定电荷量Qgd、Qgs、Qds对应的第一函数Q(x)中的参数A～E。

6.根据权利要求5所述的场板型半导体器件的电容拟合方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：

根据场板型半导体器件在不同Vds下电容Cgd、Cgs、Cds的测量值确定电荷量Qgd、Qgs、Qds对应的第二函数Q'(x)的个数及每个第二函数Q'(x)对应Vds范围；及，

根据场板型半导体器件在不同Vds下电容Cgd、Cgs、Cds的测量值确定每个Vds范围内第二函数Q'(x)对应的参数F～H。

7.根据权利要求1所述的场板型半导体器件的电容拟合方法，其特征在于，所述步骤S4中，输入电容Ciss、输出电容Coss及反馈电容Coss与电容Cgd、Cgs、Cds满足：

Crss＝Cgd；

Ciss＝Cgd+Cgs；

Coss＝Cgd+Cds。

8.根据权利要求1所述的场板型半导体器件的电容拟合方法，其特征在于，所述所述步骤S4后还包括：

根据输入电容Ciss、输出电容Coss及反馈电容Coss的拟合公式获取仿真电容曲线。

9.根据权利要求1所述的场板型半导体器件的电容拟合方法，其特征在于，所述电容拟合方法在LTSPICE仿真软件中进行拟合。