[发明专利]离子阱射频驱动装置

权利要求书

1.一种离子阱射频驱动装置，其特征在于，包括：

采样模块，用于输出离子阱射频驱动装置的高压信号，并对高压信号进行采样，得到采样信号；

与所述采样模块电连接的整流滤波模块，用于对所述采样信号整流滤波，得到直流电压信号；

电压源，用于提供标准电压参考信号；

与所述整流滤波模块、所述电压源电连接的比例积分控制器，用于比较所述直流电压信号和所述标准电压参考信号，得到反馈信号；

射频信号源，用于提供本振信号；

与所述比例积分控制器、所述射频信号源电连接的混频器，用于根据所述本振信号与所述反馈信号，调节射频输出信号，得到射频稳定信号；

与所述混频器、所述采样电路电连接的功率放大器，用于放大所述射频稳定信号，通过所述采样电路输出高压信号。

2.如权利要求1所述的离子阱射频驱动装置，其特征在于，所述采样模块包括电容式分频器、第一RC串联电路、第二RC串联电路；

所述电容式分频器包括分频输入端、第一分频输出端、第二分频输出端；

所述分频输入端与所述功率放大器连接；

所述第一分频输出端分别与所述第一RC串联电路的一端、所述整流滤波电路连接；

所述第二分频输出端与所述第二RC串联电路的一端连接；

所述第一RC串联电路的另一端、所述第二RC串联电路的另一端分别接地连接；

其中，所述第一RC串联电路与所述第二RC串联电路的元器件参数相同。

3.如权利要求2所述的离子阱射频驱动装置，其特征在于，所述第一RC串联电路包括第一电阻、第一电容；

所述第二RC串联电路包括第二电阻、第二电容；

所述第一电阻的一端与所述第一分频输出端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地连接；

所述第二电阻的一端与所述第二分频输出端连接，所述第二电阻的另一端与所述第二电容的一端连接，所述第二电容的另一端接地连接。

4.如权利要求2所述的离子阱射频驱动装置，其特征在于，所述整流滤波模块包括低通滤波器、RC高频滤波电路、第一二极管、第二二极管、RC并联电路、接入电容；

所述低通滤波器包括低通输入端、低通输出端；

所述RC高频滤波电路包括接地端、输出端、第一连接端、第二连接端；

所述接入电容包括第一端、第二端；

所述低通滤波器的低通输入端与所述RC高频滤波电路的输出端连接，所述低通滤波器的低通输出端与所述比例积分控制器连接；

所述RC高频滤波电路的第一连接端与所述第一二极管的负极连接，所述RC高频滤波电路的第二连接端与所述第二二极管的正极连接；

所述RC并联电路的一端分别与所述第一二极管的正极、所述接入电容的第一端连接；

所述RC并联电路的另一端与所述第二二极管的负极连接并接地；

所述接入电容的第二端与所述第一分频输出端连接。

5.如权利要求4所述的离子阱射频驱动装置，其特征在于，所述RC并联电路包括第三电容和第三电阻；

所述第三电容和所述第三电阻并联后的一端分别与所述第一二极管的正极、所述接入电容的第一端连接；

所述第三电容和所述第三电阻并联后的另一端与所述第二二极管的负极连接并接地。

6.如权利要求4所述的离子阱射频驱动装置，其特征在于，所述RC高频滤波电路包括高频滤波电容、第四电阻、第五电阻；

所述高频滤波电容的一端分别与所述低通滤波器的低通输入端、所述第四电阻的一端、所述第五电阻的一端连接；

所述高频滤波电容的另一端接地连接；

所述第四电阻的另一端与所述第一二极管的负极连接；

所述第五电阻的另一端与所述第二二极管的正极连接。

7.如权利要求4所述的离子阱射频驱动装置，其特征在于，所述低通滤波器的临界值频率为1MHz。

8.如权利要求1所述的离子阱射频驱动装置，其特征在于，所述电压源为5V标准电压源。