[发明专利]一种兼容性可控硅调光电路及兼容性调光方法

权利要求书

1.一种兼容性可控硅调光电路，其特征在于：所述兼容性可控硅调光电路包括输入端、峰值电压采样电路、市电输入检测电路、线性补偿电路、供电电路及输出电路，所述输入端与峰值电压采样电路连接，所述峰值电压采样电路的一端与所述市电输入检测电路连接，所述峰值电压采样电路的另一端与线性补偿电路的一端连接，所述市电输入检测电路的另一端与所述线性补偿电路的另一端连接，所述兼容性可控硅调光电路设有控制芯片U4，所述控制芯片U4均与所述峰值电压采样电路、市电输入检测电路、线性补偿电路、供电电路及输出电路电性连接，所述控制芯片U4用于起控制作用，所述供电电路设有第一节点、连接端一VCC及连接端二VCC2，所述第一节点与所述市电输入检测电路的另一端连接，所述输出电路与所述线性补偿电路连接，所述控制芯片设有引脚端VDD、引脚端DIM、引脚端GND、引脚端FB、引脚端CS及引脚端GATE。

2.根据权利要求1所述的兼容性可控硅调光电路，其特征在于：所述峰值电压采样电路包括电阻RR1、整流桥BD1、薄膜电容CB1、薄膜电容CB2、二极管D1、电解电容EC1及第一接地端，所述整流桥设有引脚端一、引脚端二、引脚端三及引脚端四，所述输入端包括火线连接端L及零线连接端N，所述火线连接端L与所述引脚端一连接，所述零线连接端N与所述引脚三连接，所述引脚二与所述电阻RR1的一端连接，所述电阻RR1的另一端与所述薄膜电容CB1的一端连接，所述引脚四与所述薄膜电容CB1的另一端连接，所述引脚二与电阻RR1之间设有第二节点及第三节点，所述引脚四与薄膜电容CB1之间设有第四节点及第五节点，所述薄膜电容CB2的一端与所述第二节点连接，所述薄膜电容CB2的另一端与所述第四节点连接，所述电阻RR1与薄膜电容CB1之间设有第六节点，所述二极管D1的一端与第六节点连接，所述二极管D1的另一端与所述市电输入检测电路连接，所述二极管D1与所述市电输入检测电路之间设有第七节点，所述第七节点与所述电解电容EC1的一端连接，所述电解电容EC1的另一端与所述第一接地端连接。

3.根据权利要求2所述的兼容性可控硅调光电路，其特征在于：所述控制芯片U4包括引脚DIM、引脚VDD、引脚GATE、引脚CS、引脚FB及引脚GND，所述市电输入检测电路包括电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C2、电容C3、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、三端稳压器U3、跟随比较器U2、电阻R12、电阻R14及MOS管Q1，所述电阻R7的一端与所述第七节点串联连接，所述电阻R7的另一端与所述电阻R8的一端串联连接，所述电阻R8的另一端与所述电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端与所述薄膜电容CB1串联连接，所述电阻R8与电阻R10之间设有第八节点，所述跟随比较器U2包括正极引脚、负极引脚、引脚二、引脚四及引脚六，所述正极引脚与所述第八节点连接，所述正极引脚与第八节点之间设有连接点B，所述连接点B与所述引脚四连接，所述引脚六与所述连接端一VCC连接，所述正极引脚与第八节点之间设有第九节点，所述第九节点与所述引脚四连接，所述电容C3的一端与所述电阻R10串联连接，所述电容C3的另一端与所述连接端一VCC连接，所述电容C3的另一端还与所述电阻R11的一端串联连接，所述电阻R11的另一端与所述跟随比较器U2的负极引脚连接，所述电阻R11与负极引脚之间设有第十节点及第十一节点，所述三端稳压器U3包括第一引脚端、第二引脚端及第三引脚端，所述第十节点与所述第二引脚端串联连接，所述第一引脚端与电容C3的一端串联连接，所述第三引脚端与第十一节点连接，所述负极引脚与所述第一引脚端串联连接，所述负极引脚与所述第一引脚端之间设有第十二节点，所述第十二节点与所述电阻R14的一端连接，所述电阻R14的另一端与所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端与所述引脚四连接，所述电阻R14与电阻R12之间设有第十三节点，所述MOS管Q1包括栅极、源极及漏极，所述第十三节点与栅极连接，所述源极的第十二节点串联连接，所述漏极与所述电阻R9的一端连接，所述电阻R9的另一端与所述引脚端DIM连接，所述电阻R9与引脚端DIM之间设有第十四节点、第十五节点及连接点C，所述第十五节点与所述电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端与所述源极连接，所述源极与电容C2之间设有第十七节点，所述第十七节点设有第二接地端，所述连接点C与所述电阻R13的一端连接，所述电阻R13的另一端与所述第十七节点串联连接。