[发明专利]一种卷对卷式的薄膜脱附方法、卷曲薄膜及其应用

权利要求书

1.一种卷对卷式的薄膜脱附方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)以石墨烯铜箔作为基底，在基底上覆盖预设形状的掩模板，接着在基底上顺序沉积纳米薄膜；

(2)去除掩模板，将沉积纳米薄膜的基底输送至滚轴处，并贴合滚轴表面继续行进，此时，基底上的纳米薄膜脱附并弯曲成管状结构的卷曲薄膜；

(3)继续对基底进行超声振动，使得卷曲薄膜掉落并收集，分离卷曲薄膜的基底则回收。

2.根据权利要求1所述的一种卷对卷式的薄膜脱附方法，其特征在于，所述的纳米薄膜采用电子束蒸发或磁控溅射镀膜的方式沉积在基底上。

3.根据权利要求1所述的一种卷对卷式的薄膜脱附方法，其特征在于，所述的纳米薄膜为双层或更多层。

4.根据权利要求3所述的一种卷对卷式的薄膜脱附方法，其特征在于，每层纳米薄膜的厚度为5～150nm。

5.根据权利要求1所述的一种卷对卷式的薄膜脱附方法，其特征在于，所述的纳米薄膜为无机薄膜，其材质为金属、半导体和/或氧化物。

6.根据权利要求1所述的一种卷对卷式的薄膜脱附方法，其特征在于，所述的滚轴的曲率半径为0.2～8cm。

7.根据权利要求1所述的一种卷对卷式的薄膜脱附方法，其特征在于，超声振动的频率为20～100Hz。

8.根据权利要求1所述的一种卷对卷式的薄膜脱附方法，其特征在于，所述的石墨烯铜箔由铜箔、以及在铜箔上CVD生长的单层或多层石墨烯构成。

9.一种卷曲薄膜，其基于如权利要求1-8任一所述的薄膜脱附方法制备得到，其特征在于，该卷曲薄膜的外径为1-50μm，长度为30-500μm。

10.如权利要求9所述的卷曲薄膜的应用，其特征在于，该卷曲薄膜用于光电探测、微型机器人、组织工程或药物输运领域。