[发明专利]一种低插损端面耦合器

权利要求书

1.一种低插损端面耦合器，其特征在于，包括：

衬底；

设于所述衬底上的波导包层；

设于所述波导包层内的核心波导，所述核心波导的两端通过位于下方的所述波导包层部分支撑于所述衬底的表面上，所述核心波导包括以端部相连的常规波导和过渡波导，所述过渡波导被配置为具有远离所述常规波导方向上的逐渐收缩的宽度；

分设于所述核心波导两侧外的所述波导包层表面上的侧边槽；

设于所述侧边槽中的介质。

2.根据权利要求1所述的低插损端面耦合器，其特征在于，所述侧边槽的底面位于所述波导包层中；或者，所述侧边槽的底面位于所述衬底的表面上，且露出所述衬底的表面；或者，所述侧边槽的底面穿过所述波导包层，并位于所述衬底中。

3.根据权利要求1所述的低插损端面耦合器，其特征在于，所述侧边槽具有多边形或曲面形的水平截面，所述侧边槽具有垂直或倾斜的侧壁，所述侧边槽在所述核心波导的两侧对称设置或非对称设置。

4.根据权利要求1所述的低插损端面耦合器，其特征在于，所述核心波导、所述波导包层以及所述侧边槽中的所述介质之间的折射率依次减小。

5.根据权利要求1所述的低插损端面耦合器，其特征在于，所述侧边槽包括沿所述核心波导长度方向并列设置的多个子侧边槽。

6.根据权利要求1所述的低插损端面耦合器，其特征在于，所述侧边槽上设有相连的侧边支槽，所述侧边支槽在靠近所述过渡波导一侧的所述波导包层的端面上形成开口，且所述侧边支槽的宽度小于所述侧边槽的宽度。

7.根据权利要求6所述的低插损端面耦合器，其特征在于，所述侧边支槽包括直槽型、直角转折槽型、斜坡转折槽型或弧形槽型。

8.根据权利要求1所述的低插损端面耦合器，其特征在于，所述过渡波导为一至多个；其中，当所述过渡波导为多个时，多个所述过渡波导以同侧端部与所述常规波导的同一端共同连接。

9.根据权利要求8所述的低插损端面耦合器，其特征在于，所述多个所述过渡波导之间按水平并列方式、垂直并列方式、形成阵列方式分布。

10.根据权利要求1所述的低插损端面耦合器，其特征在于，所述核心波导的轴线与耦合端面相垂直或倾斜。