[发明专利]DLC膜的脱膜方法

说明书

本申请公开一种DLC膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击DLC膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行DLC膜脱膜。本公开的方法通过化学反应生成物为二氧化碳气体，不会对环境产生巨大污染，避免了化学药液污染严重的问题，同时通过化学反应不会在镜片表面产生残留物，镜片退镀效果良好。

技术领域

本发明涉及光学镀膜脱膜领域，具体涉及一种DLC膜的脱膜方法。

背景技术

红外锗镜片在镀DLC膜后常出现膜层上有指纹、脏污等不良，此时需要对镜片进行脱膜处理，把已经镀上的DLC膜脱掉，再处理好镜片重新镀膜。DLC膜属于类金刚石膜有较强的硬度和耐摩擦耐腐蚀性。常用的DLC脱膜方法是使用药液浸泡，利用药液与DLC产生化学反应来去除膜层。常规的脱膜方法需要使用化学药剂对环境危害较大，偶尔还会出现脱膜不净有残留的现象。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本公开的目的在于提供一种DLC膜的脱膜方法。

为了实现上述目的，本公开提供了一种DLC膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击DLC膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行DLC膜脱膜。

在一些实施例中，所脱膜的产品为镀完DLC膜的锗镜片。

在一些实施例中，所述等离子体发生器为射频电源，频率为13.56MHZ。

在一些实施例中，所述DLC膜脱膜前的条件为真空状态，真空度小于5.0×10^-3pa。

在一些实施例中，所述氧气和氩气的混合气体的氧压比例为10/1。

在一些实施例中，在真空环境下压力抽至小于5.0×10^-3pa后再通入10/1混合的氧气和氩气的混合体，使真空维持在1-10pa。

在一些实施例中，在真空环境下通入氧氩混合气体后打开射频电源，功率设定为600-1000W，设定时间为1200-2000s。

本公开的有益效果如下：

本公开的方法通过化学反应生成物为二氧化碳气体，不会对环境产生巨大污染，避免了化学药液污染严重的问题，同时通过化学反应不会在镜片表面产生残留物，镜片退镀效果良好。

具体实施方式

下面详细说明本申请的DLC膜的脱膜方法。

本申请公开一种DLC膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击DLC膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行DLC膜脱膜。

在一些实施例中，所脱膜的产品为镀完DLC膜的锗镜片。

在一些实施例中，所述等离子体发生器为射频电源，频率为13.56MHZ。

在一些实施例中，所述DLC膜脱膜前的条件为真空状态，真空度小于5.0×10^-3pa。

在一些实施例中，所述氧气和氩气的混合气体的氧压比例为10/1。电离后氩离子开始轰击膜层，氧离子开始和碳原子产生化学反应，生成二氧化碳气体。