[发明专利]一种铯铜卤晶体的制备方法有效
| 申请号： | 202211044612.1 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115403065B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 唐江;牛广达;朱劲松;张澳;巫皓迪 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | C01G3/00 | 分类号： | C01G3/00;B01D9/02 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铯铜卤 晶体 制备 方法 | ||
1.一种铯铜卤晶体的制备方法，其特征在于，所述铯铜卤晶体的制备方法包括如下步骤：
提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；
将反应物置于所述预定真空度下；对预定真空度下的反应物进行分段加热，直至达到所述预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；
在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体；
所述X为I，所述CsX和CuX的摩尔比为3：2；
所述分段式加热包括如下步骤：
将反应物加热至200℃，保温至少10min；
将200℃下的反应物加热至300℃，保温至少10min；
将300℃下的反应物加热至350℃，保温至少10min；
对350℃下的反应物加热；
所述预定温度为380-450℃；
所述预定真空度为0.8×10-3-1.2×10-3Pa；
所述预定冷却速率不高于15℃/h；
所述预定时间不短于6h。
2.根据权利要求1所述的铯铜卤晶体的制备方法，其特征在于，所述X为Cl、I两种元素的组合，所述反应物中Cs、Cu、Cl、I原子的摩尔比为5：3：6：2。
3.根据权利要求2所述的铯铜卤晶体的制备方法，其特征在于，所述分段式加热包括如下步骤：
将反应物加热至200℃，保温至少10min；
将200℃下的反应物加热至300℃，保温至少10min；
将300℃下的反应物加热至400℃，保温至少10min；
对400℃下的反应物加热。
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