[发明专利]等离子体处理装置和异常放电抑制方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

能够在内部实施等离子体处理的腔室；

配置在所述腔室内的载置台，其能够载置基片并且在所述基片的周围载置环组件；

设置在所述载置台的固定部，其能够将所述基片和所述环组件中的至少一者固定在所述载置台上；

传热气体供给部，其能够向所述基片和所述环组件中的至少一者与所述载置台之间供给传热气体；

传热气体排出部，其能够从所述基片和所述环组件中的至少一者与所述载置台之间排出所述传热气体；

RF电源，其能够向所述腔室内供给等离子体生成用的RF信号；和

控制部，其能够进行控制，使得在将所述基片和所述环组件中的至少一者载置在所述载置台上时，在对所述基片实施等离子体处理之前，从所述传热气体供给部供给的所述传热气体的压力低于对所述基片实施等离子体处理时从所述传热气体供给部供给的所述传热气体的压力。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够使所述等离子体处理装置执行：

步骤(a)，向所述载置台与所述环组件之间供给所述传热气体；和

步骤(b)，使向所述载置台与所述环组件之间供给的所述传热气体的压力低于步骤(a)中的向所述载置台与所述环组件之间供给的所述传热气体的压力。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得在对所述基片实施等离子体处理之前，对所述环组件与所述载置台之间进行至少1次所述传热气体的供给和排出。

4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够进行控制，使得在步骤(a)和步骤(b)中，从所述RF电源供给对所述基片实施等离子体处理时的功率以下并且能够使所述基片的温度成为200℃以上的功率的RF信号。

5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够在步骤(b)中，将从所述传热气体供给部供给到所述载置台与所述环组件之间的所述传热气体的压力控制为15Torr以下。

6.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得交替地进行多次所述传热气体的供给和排出。

7.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述固定部通过静电吸附将所述环组件固定在所述载置台上。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述传热气体为氦气或氢气。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得在将所述基片载置在所述载置台上时，在对所述基片实施等离子体处理之前，对所述基片与所述载置台之间进行至少1次所述传热气体的供给和排出。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得交替地进行多次所述传热气体的供给和排出。

11.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述固定部通过静电吸附将所述基片固定在所述载置台上。