[发明专利]适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳及工艺

权利要求书

1.一种适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳，其特征在于：包括逐层设置的无氧的铜底板(1)、过渡的中间钼片(2)、陶瓷绝缘片(3)及顶部钼片(4)；陶瓷绝缘片(3)两侧采用附铜工艺。

2.根据权利要求1所述的适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳，其特征在于：陶瓷绝缘片(3)为含有硅钙的陶瓷；

多层异质电子封装外壳的多层材料热阻R＝R1+R2+……+Rn；

根据热阻计算公式：

单层材料热阻R＝δ/λA；

式中δ—材料厚度、λ—材料导热系数、A—材料面积；

式中R1、R2、Rn为各层材料热阻；

粗铜引线与陶瓷环封接，采用陶瓷环两边钎焊。

3.根据权利要求1所述的适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳，其特征在于：在顶部钼片(4)两端分别设置有铜片(9)及铜线(11)，形成U的第一组件。

4.根据权利要求3所述的适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳，其特征在于：中间钼片(2)在铜底板(1)上表面凹槽中；

在铜底板(1)下方设置有定位模具；定位模具包括底板件，在底板件左侧设置有带孔耳板且在右侧设置有立支杆。

5.根据权利要求4所述的适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳，其特征在于：第一组件设置在定位模具的底板件上且之间加Ag72Cu28焊片；

陶瓷绝缘片(3)双面覆铜且置于中间钼片(2)上方且加Ag72Cu28焊片，在陶瓷绝缘片(3)与铜底板(1)四周保持绝缘间隙；

在定位模具上设置有十号钢框(5)且两者之间加Ag72Cu28焊片；

在十号钢框(5)左端设置有粗铜引线(6)；

在粗铜引线(6)右端套有氧化铝陶瓷环(7)，在氧化铝陶瓷环(7)两侧设置有可伐封焊环(8)；氧化铝陶瓷环(7)内部涂覆金属化层，氧化铝陶瓷环(7)两端设置有可伐封焊环(8)，通过可伐封焊环(8)钎焊到粗铜引线(6)及氧化铝陶瓷环(7)上；

粗铜引线(6)右端设置在第一组件的铜片(9)孔内；

将铜挡片(10)穿入粗铜引线(6)的右端，钎焊位置放置Ag72Cu28焊料；铜线(11)穿入右侧引线(12)端部孔内。

6.根据权利要求5所述的适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳，其特征在于：在十号钢框(5)右侧，右侧引线(12)穿过有可伐片(13)的中心孔及陶瓷绝缘子件(14)的中心孔，陶瓷绝缘子件(14)定位于十号钢框(5)的孔内。

7.根据权利要求5所述的适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳，其特征在于：在第一组件上部放置轻压块，在十号钢框(5)上部放置重压块。

8.根据权利要求5所述的适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳，其特征在于：在中间钼片(2)及十号钢框(5)上设置有预镀镍处理。