[发明专利]一种改善SONOS良率的方法在审
| 申请号： | 202211049305.2 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115360097A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 戴有江;肖泽龙;董彦德;李灵均 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sonos 方法 | ||
1.一种改善SONOS良率的方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面上形成注入阻挡层；
对所述半导体衬底进行离子注入工艺，以在包含有所述注入阻挡层的半导体衬底内分别形成源漏极；
利用低功率刻蚀机台刻蚀去除覆盖在所述源漏极所对应的半导体衬底表面上的注入阻挡层，以减少在该刻蚀工艺过程中所形成的副产物。
2.如权利要求1所述的改善SONOS良率的方法，其特征在于，所述低功率刻蚀机台的功率范围为：50瓦特～1200瓦特。
3.如权利要求1所述的改善SONOS良率的方法，其特征在于，在利用低功率刻蚀机台刻蚀去除覆盖在所述源漏极所对应的半导体衬底表面上的注入阻挡层，以减少在该刻蚀工艺过程中所形成的副产物的步骤之后，所述方法还包括：
对所述副产物进行ASH灰化处理，以降低所述副产物的硬度。
4.如权利要求3所述的改善SONOS良率的方法，其特征在于，在对所述副产物进行ASH灰化处理之后，所述方法还包括：
对所述半导体衬底进行湿法清洗工艺，以去除所述副产物。
5.如权利要求1所述的改善SONOS良率的方法，其特征在于，所述刻蚀去除覆盖在所述源漏极所对应的半导体衬底表面上的注入阻挡层的刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。
6.如权利要求1所述的改善SONOS良率的方法，其特征在于，所述注入阻挡层的材料包括：热氧化膜/化学气相淀积氧化膜等。
7.如权利要求1所述的改善SONOS良率的方法，其特征在于，形成所述注入阻挡层的工艺为热氧化工艺或化学气相沉积。
8.如权利要求1所述的改善SONOS良率的方法，其特征在于，所述的注入阻挡层的厚度范围为200埃～300埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
