[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

外延结构以及设置于所述外延结构上的电流注入区和非电流注入区；

所述半导体激光器具有设置于所述外延结构两侧，并且反射率不同的前腔面和后腔面，所述前腔面与所述后腔面之间的距离为所述半导体激光器的谐振腔，所述谐振腔的腔长为L_cavity；所述后腔面指向所述前腔面的方向为第一方向；

所述电流注入区包括：完全电流注入的第一电流注入区和部分电流注入的第二电流注入区；

所述非电流注入区包括：靠近所述后腔面的第一非电流注入区和靠近所述前腔面的第二非电流注入区；

在所述外延结构的部分区域，沿所述第一方向依次分布着：所述第一非电流注入区、所述第一电流注入区、所述第二电流注入区、所述第二非电流注入区；

所述第二非电流注入区包括：第二限制凹槽，设置于所述第二电流注入区和所述前腔面之间；

在所述第一方向上，所述第二非电流注入区的长度为L2，所述第二限制凹槽的长度为L4，L4＜L2；

所述第一非电流注入区包括：第一限制凹槽，设置于所述第一电流注入区和所述后腔面之间；

在所述第一方向上，所述第一非电流注入区的长度为L1，所述第一限制凹槽的长度为L3，L3＜L1；且，50%*L2≤L1＜L2；L3＜L4。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第二非电流注入区的长度L2和所述第二限制凹槽的长度L4分别满足以下关系：1%*L_cavity≤L2≤15%*L_cavity，15%*L2≤L4≤80%*L2。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述外延结构包括自下而上依次层叠设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和电极接触层；自下而上层叠设置的方向为第三方向；

所述第一限制凹槽和/或所述第二限制凹槽形成于所述电极接触层，并且，所述第一限制凹槽和/或所述第二限制凹槽在所述第三方向的深度H1大于或等于所述电极接触层厚度的30%。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一限制凹槽和/或所述第二限制凹槽在所述第三方向的深度H1小于所述第三方向上光场强度0.01%对应的深度。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述第二电流注入区包括：图案化注入区，并且图案不连续；

在所述第一方向上，所述图案化注入区的图案面积逐渐变小。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，在所述第一方向上，所述第二电流注入区的长度L_window2满足：5%*L_cavity≤L_window2≤30%*L_cavity。

7.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，所述图案化注入区包括多个在所述第一方向和第二方向上均间隔设置的第一窗口；所述第二方向位于所述第一电流注入区和所述第二电流注入区所在的平面内，并且所述第二方向与所述第一方向垂直；

在所述第一方向上，相邻的两个所述第一窗口的面积逐渐减小，相邻的两个所述第一窗口之间的距离逐渐增大。

8.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，所述图案化注入区包括多个在第二方向上间隔设置的第二窗口；所述第二方向位于所述第一电流注入区和所述第二电流注入区所在的平面内，并且所述第二方向与所述第一方向垂直；

在所述第一方向上，每一个所述第二窗口的面积逐渐减小，相邻的两个所述第二窗口之间的距离越来越大。