[发明专利]半导体装置结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

半导体基板；

第一装置，形成在该半导体基板的第一区域中，该第一装置包括在该半导体基板上的第一栅极结构，其中该第一栅极结构包括：在该半导体基板上的第一栅极介电层；以及位于该第一栅极介电层上的第一栅极层；以及

第二装置，形成在该半导体基板的第二区域中，该第二装置包括在该半导体基板上的第二栅极结构，其中第二栅极结构包括：在该半导体基板上的第二栅极介电层；以及在该第二栅极介电层上的第二栅极层；

其中，该第一装置的该第一栅极介电层和该第二装置的该第二栅极介电层具有不同的介电材料成分。

2.如权利要求1之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极介电层具有第一介电常数，该第二栅极介电层具有第二介电常数，且该第一介电常数不同于该第二介电常数。

3.如权利要求1之半导体装置结构，其特征在于，该第一装置与该第二装置为高压金属氧化物半导体装置。

4.如权利要求1之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极介电层的第一介电常数和该第二栅极介电层的第二介电常数等于或大于20。

5.如权利要求4之半导体装置结构，其特征在于，该第二栅极介电层的该第二介电常数大于该第一栅极介电层的该第一介电常数。

6.如权利要求1之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极介电层具有第一厚度，该第二栅极介电层具有第二厚度，且该第一厚度等于该第二厚度；或者，该第一厚度不同于该第二厚度。

7.如权利要求1之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极介电层的第一厚度为1埃至50埃，该第二栅极介电层的第二厚度为1埃至50埃。

8.如权利要求1之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极介电层为单一介电材料层，而该第二栅极介电层包括多个介电材料层。

9.如权利要求1之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极介电层与该第二栅极介电层分别包含多个介电材料层。

10.如权利要求9之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极介电层与该第二栅极介电层具有不同数量的介电材料层；或者，该第一栅极介电层与该第二栅极介电层包含相同数量的该介电材料层。

11.如权利要求1之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极结构的该第一栅极层为单一n型金属材料层，该第二栅极结构的该第二栅极层包括多个导电材料层。

12.如权利要求1之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极结构的该第一栅极层及该第二栅极结构的该第二栅极层分别包含多个导电材料层。

13.如权利要求12之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极结构的该第一栅极层与该第二栅极结构的该第二栅极层具有不同数量的导电材料层；或者，该第一栅极结构的该第一栅极层和该第二栅极结构的该第二栅极层包括相同数量的导电材料层。

14.如权利要求11之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极结构的该第一栅极层和该第二栅极结构的该第二栅极层分别包括：

形成在该半导体基板上方的一层或多层p型导电材料层；以及

形成在该一层或多层p型导电材料层上的n型金属材料层。

15.如权利要求14之半导体装置结构，其特征在于，该p型金属材料层的厚度介于1埃至50埃之间，且该n型金属材料层的厚度介于1埃至500埃埃之间。

16.如权利要求1之半导体装置结构，其特征在于，该第一栅极介电层与该第二栅极介电层分别包含氧化铪、氧化镧、氧化铪硅、氮氧化铪硅、氧化铪钽、氧化铪钛、氧化铪锆或其组合。