[发明专利]一种VAD有源光纤预制棒及其制备方法

权利要求书

1.一种VAD有源光纤预制棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、将稀土盐、磷酸、氯化铝溶于有机溶剂中，配置稀土盐溶液；

步骤2、将经过预烧结的二氧化硅粉棒置于步骤1中配置的稀土盐溶液中充分浸泡；

步骤3、将浸泡后的二氧化硅粉棒置于低温低压环境中干燥；

步骤4、将浸泡并干燥后的二氧化硅粉棒进行烧结，得到掺杂有稀土元素的VAD有源光纤预制棒。

2.根据权利要求1所述VAD有源光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述稀土盐中的稀土元素为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的任意一种或几种。

3.根据权利要求1所述VAD有源光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述稀土盐为能溶于相应挥发性有机溶剂中的稀土元素的卤化盐、磷酸盐或者硝酸盐。

4.根据权利要求3所述VAD有源光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述稀土盐为稀土氯化盐。

5.根据权利要求1所述VAD有源光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂的25℃时饱和蒸汽压大于7.5KPa，熔点低于-20℃。

6.根据权利要求1所述VAD有源光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂包括甲醇、乙醇、丙酮、乙酸乙酯中的任意一种或几种混合。

7.根据权利要求1所述VAD有源光纤预制棒的制备方法，其特征在于：步骤2中，二氧化硅粉棒的浸泡时间与二氧化硅粉棒本身密度有关，记二氧化硅粉棒的密度为m g/cm³，浸泡时间为30m到100m小时。

8.根据权利要求1所述VAD有源光纤预制棒的制备方法，其特征在于：步骤3中，所述低温低压环境的温度为低于-20℃，但是高于所述挥发性有机溶剂的熔点。

9.根据权利要求8所述VAD有源光纤预制棒的制备方法，其特征在于：步骤3中，所述低温低压环境中的压力为绝压0.1至0.8个标准大气压。

10.根据权利要求1所述VAD有源光纤预制棒的制备方法，其特征在于：步骤3中，干燥结束标准为二氧化硅粉棒相比浸泡前增重不大于10％。

11.一种VAD有源光纤预制棒，其特征在于，采用权利要求1-10任意一项所述制备方法所制备。