[发明专利]太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供具有透明导电薄膜的太阳电池基片；

在所述透明导电薄膜上通过物理气相沉积依次形成多层铜种子层；以及

在最外层的铜种子层上电镀形成铜电极；

其中，形成最内层的铜种子层的沉积功率为0.2KW～0.8KW，且形成最内层的铜种子层的沉积功率小于形成其他层的铜种子层的沉积功率。

2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，自最内层的铜种子层至最外层的铜种子层的方向上，形成各所述铜种子层的沉积功率逐渐增大。

3.根据权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，自最内层的铜种子层至最外层的铜种子层的方向上，形成外层铜种子层的沉积功率为形成与其相邻的内层铜种子层的沉积功率的2倍～5倍。

4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述透明导电薄膜上通过物理气相沉积依次形成第一铜种子层、第二铜种子层及第三铜种子层。

5.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一铜种子层的沉积功率为0.2KW～0.8KW，形成所述第二铜种子层的沉积功率为1.0KW～3.5KW，形成所述第三铜种子层的沉积功率为3.6KW～7.5KW。

6.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一铜种子层的厚度大于5nm且小于150nm。

7.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，形成所述第二铜种子层的基体传输速率大于或等于形成所述第一铜种子层的基体传输速率，形成所述第三铜种子层的基体传输速率大于或等于形成所述第二铜种子层的基体传输速率。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，各所述铜种子层的总厚度为100nm～200nm。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述太阳电池基片的制备方法，包括如下步骤：

在单晶硅衬底上形成非晶硅层；以及

在所述非晶硅层上形成所述透明导电薄膜。

10.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池通过权利要求1至9中任一项所述的太阳电池的制备方法制备得到。

11.根据权利要求10所述的太阳电池，其特征在于，包括：

单晶硅衬底；

非晶硅层，设于所述单晶硅衬底的至少一个表面上；

透明导电薄膜，设于所述非晶硅层背离所述单晶硅衬底一侧的表面上；

多层铜种子层，多层所述铜种子层依次层叠设于所述透明导电薄膜背离所述非晶硅层一侧的表面上；以及

铜电极，设于最外层的所述铜种子层背离所述透明导电薄膜一侧的表面上。